强电子流增强化学气相沉积法生长金刚石膜

金刚石具有许多优异特性,掺杂后可成为半导体.常规的高温高压合成方法难于成膜,特别是很难控制掺杂的深度分布和产生适合制作器件的良好结构.近年来迅速发展了多种低压气相金刚石膜生长技术,在低压(≤1atm)和低温(1000℃)下制成了金刚石多晶膜.但是,各种方法都存在不少问题:难于获得大面积,均匀的膜,膜表面粗糙,膜内存在大量的缺陷,与基体结合差等.限制了它在电子、光学、机械等领域的应用.为了解决这些困难,我们正在研究发展一种强电子流增强化学气相沉积(HECVD)制备金刚石膜技术.已初步制成了金刚石多晶膜     

石英衬底上生长的高光学质量的纳米金刚石薄膜

采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积(RFHFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪观测薄膜的表面形貌和粗糙度,x射线衍射(XRD)和Raman光谱表征膜层的结构,并用紫外可见近红外光谱仪测量其光透过率.实验结果表明,衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性、表面粗糙度及光透过率均有很大程度的影响,其最佳值分别为700℃,2×133Pa和200W.在该最佳参量下经1h的生长即获得连续、平滑的纳米金刚石膜,其平均晶粒尺寸为约25 关键词： 纳米金刚石薄膜 射频等离子体增强热丝化学气相沉积 光透过率     

通过厚透镜的带电粒子束的腰—腰传输

若带电粒子束轴对称,在弱流、非相对论、旁轴情况下,可用(r,q)相平面中的点来表征带电粒子的运动状态.q=u～(1/2)(dr)/(dz)正比于粒子的径向动量.u为该粒子所在处的归一化电位.束流在某处截面上的各带电粒子所有运动状态,在(r,q)相平面中构成一椭圆相图.在物腰和象腰上,其相图为正椭圆.物腰相图上的一点,在象腰相图上有一对应点,相移为(?).对于腰——腰传输,束流的传输矩阵可表为: