全文获取类型
收费全文 | 461篇 |
免费 | 152篇 |
国内免费 | 119篇 |
专业分类
化学 | 199篇 |
晶体学 | 22篇 |
力学 | 62篇 |
综合类 | 13篇 |
数学 | 68篇 |
物理学 | 368篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 7篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 10篇 |
2020年 | 12篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 26篇 |
2017年 | 24篇 |
2016年 | 20篇 |
2015年 | 16篇 |
2014年 | 27篇 |
2013年 | 16篇 |
2012年 | 21篇 |
2011年 | 17篇 |
2010年 | 29篇 |
2009年 | 24篇 |
2008年 | 33篇 |
2007年 | 50篇 |
2006年 | 40篇 |
2005年 | 33篇 |
2004年 | 24篇 |
2003年 | 24篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 33篇 |
2000年 | 16篇 |
1999年 | 14篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 13篇 |
1996年 | 16篇 |
1995年 | 15篇 |
1994年 | 8篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 11篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1966年 | 2篇 |
1965年 | 2篇 |
1962年 | 1篇 |
1960年 | 4篇 |
1954年 | 1篇 |
排序方式: 共有732条查询结果,搜索用时 156 毫秒
1.
浸入边界法通过在N-S方程中施加体积力模拟不可滑移固壁边界及动边界,避免生成复杂贴体网格及动网格,极大地节省了网格建模时间及动网格计算消耗。本文提出一种新型附加体积力简化计算方法,将简化附加体积力以源项形式嵌入动量方程迭代中,通过用户自定义函数对CFD软件FLUENT二次开发,实现了浸入边界法和通用流体力学求解器的耦合计算。通过静止圆柱和动圆柱绕流数值模拟进行了验证,并探讨了插值函数对计算精度的影响。研究表明,通过引入浸入边界模型,能够提高计算效率,并实现结构网格背景下复杂边界和动边界的高效建模。 相似文献
2.
通过二维流体力学基本方程的数值模拟,探讨了Prandtl(普朗特)数Pr=6.99时,倾斜矩形腔体中的对流斑图和斑图转换的临界条件.根据倾角θ和相对Rayleigh(瑞利)数Rar的变化,倾斜矩形腔体中的对流斑图可以分为:单滚动圈对流斑图、充满腔体的多滚动圈对流斑图和过渡阶段的多滚动圈对流斑图.当θ一定时,随着Rar的减小,系统由充满腔体的多滚动圈对流斑图过渡到单滚动圈对流斑图.这时,对流振幅A和Nusselt(努塞尔)数Nu随着Rar的增加而增加.当Rar=9时,随着θ的增加,系统由充满腔体的多滚动圈对流斑图过渡到单滚动圈对流斑图,这时对流振幅A随着θ的增加而减小,Nusselt数Nu随着θ的增加而增加.在θc-Rar平面上对多滚动圈到单滚动圈对流斑图过渡的模拟结果表明, 在Rar=2时, 腔体中没有发现多滚动圈对流斑图.在Rar为2.5左右时,腔体中出现多滚动圈到单滚动圈对流斑图的过渡.当多滚动圈到单滚动圈对流斑图过渡的临界倾角θc<10°时,θc随着Rar的减小而增加.当θc>10°时,θc随着Rar的增加而增加,在Rar≤5时,θc随着Rar的增加而迅速增加;当Rar>5时,θc随着Rar的增加而缓慢增加.θc与Rarθ的关系与Rar类似 相似文献
3.
有机-无机钙钛矿材料是一种新兴的可溶液加工的薄膜太阳能电池材料.通过向钙钛矿中引入低维结构能够显著提高其材料稳定性和器件稳定性.首先,探究了一种双阳离子2, 2’-联咪唑(BIM)形成的铅基二维钙钛矿;然后,通过单晶衍射手段发现了一种新型的扭曲二维结构;最后,通过一步旋涂方法将这种扭曲二维结构引入到钙钛矿薄膜中,所得到的太阳能电池器件效率达14%,并且具有较好的稳定性.本文提供了一种新的钙钛矿薄膜的钝化体系,并且直接运用于太阳能电池器件的制备,为提高钙钛矿太阳能电池的稳定性提供了新的发展思路. 相似文献
4.
对Pr=0.0272的纯流体在矩形腔体外加水平来流时,进行二维流体力学基本方程组的数值模拟.研究了该纯流体Rayleigh-Benard对流的一维行波斑图的成长及时空的演化.发现对流成长过程可以划分为3个阶段,即对流发展、对流指数成长和周期变化。在对流指数成长阶段对不同相对Rayleigh(瑞利)数Rar的最大垂直流速场随时间变化的情况进行分析,获得了最大垂直流速场指数成长阶段的线性成长率γm和相对Rayleigh数Rar的关系公式.研究了行波周期受水平来流Reynolds(雷诺)数的影响,揭示了行波对流周期性及其对水平来流Reynolds数的依赖性. 相似文献
5.
用缩合氧化反应,成功合成了一个新的咪唑羧酸配体2-(4’-羧基苯基)咪唑-4,5-二羧酸(H4CPhIDC)。在水热条件下以H4CPhIDC为主配体,邻菲咯啉(phen)为辅助配体,合成了镉的六核金属有机配合物[Cd6(CPhIDC)(HCPhIDC)2(H2CPhIDC) (phen)6]?H2O (MOF)。H4CPhIDC配体在该配合物中呈现出不同的去质子模式H2CPhIDC2-、HCPhIDC3-、CPhIDC4-,从而形成了一个新的六核(3,3,4,5)-连接拓扑结构。测定了配体和配合物的固体荧光光谱,并用溴化乙锭荧光探针测定了配体和配合物与DNA及BSA的作用,结果表明,配合物对生物大分子的作用更强些。CCDC:969815。 相似文献
6.
7.
Water-based processed and alkoxide-based processed indium oxide thin-film transistors at different annealing temperatures 下载免费PDF全文
In this study,indium oxide(In_2O_3) thin-film transistors(TFTs) are fabricated by two kinds of low temperature solution-processed technologies(Ta ≤ 300?C),i.e.,water-based(DIW-based) process and alkoxide-based(2-ME-based)process.The thickness values,crystallization properties,chemical structures,surface roughness values,and optical properties of In_2O_3 thin-films and the electrical characteristics of In_2O_3 TFTs are studied at different annealing temperatures.Thermal annealing at higher temperature leads to an increase in the saturation mobility(μsat) and a negative shift in the threshold voltage(VTH).The DIW-based processed In_2O_3-TFT annealed at 300?C exhibits excellent device performance,and one annealed at 200?C exhibits an acceptable μsat of 0.86 cm~2/V·s comparable to that of a-Si:H TFTs,whereas the 2-ME-based TFT annealed at 300?C exhibits an abundant μsat of 1.65 cm~2/Vs and one annealed at 200?C is inactive.The results are attributed to the fact that the DIW-based process induces a higher degree of oxidation and less defect states than the 2-ME-based process at the same temperature.The DIW-based process for fabricating the In_2O_3 TFT opens the way for the development of nontoxic,low-cost,and low-temperature oxide electronics. 相似文献
8.
The ionization process of B2+ by H+ impact is studied using the continuum-distorted-wave eikonal-initial-state (CDW-EIS) method and the modified free electron peak approximation (M-FEPA), respectively. Total, single-, and double- differential cross sections from 1s and 2s orbitals are presented for the energy range from 10 keV/u to 10 MeV/u. Comparison between the results from the two methods demonstrates that the total and single-differential cross sections for the high-energy incident projectile case can be well evaluated using the simple M-FEPA model. Moreover, the M-FEPA model reproduces the essential features of the binary-encounter (BE) bump in the double-differential cross sections. Thus, the BE ionization mechanism is discussed in detail by adopting the M-FEPA model. In particular, the double- and single-differential cross sections from the 2s orbital show a high-energy hip, which is different from those from the 1s orbital. Based on Ref. [1], the Compton profiles of B2+ for 1s and 2s orbitals are given, and the hips in DDCS and SDCS from the 2s orbital are explained. 相似文献
9.
10.