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基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,分别计算了Cr、Cu掺杂Ag晶胞的电子结构和光学特性,计算结果表明,掺杂后Cr、Cu外层电子分别与Ag外层电子发生作用,价带会出现一定展宽;掺杂体系的反射谱和吸收谱在不同波段范围内会发生不同变化,体系的光谱特性发生改变.研究结果对于光电子器件制备及薄膜界面特性研究具有指导意义. 相似文献
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薄膜材料的生长过程随镀膜机尺寸的增大而呈现新的规律,为制备膜层均匀性好、材料均质的大尺寸光学元件,分别在不同离子源能量、沉积压强、基板加热温度及基板转速条件下,采用离子辅助电子束蒸发方法制备了不同单层SiO2薄膜样品;利用分光光度计及椭偏仪分别对样品的透过率及椭偏参数进行测量,并对测量结果进行拟合得到不同样品的折射率及非均质特性。实验结果表明,工件架转速是使大尺寸SiO2薄膜材料产生非均质特性的主要影响因素,离子源能量、基板温度、沉积压强通过影响材料生长过程对材料的非均质特性产生调控;对于大尺寸薄膜光学元件,工件架转速存在限制的条件下,优化其他工艺参数可以获得均质SiO2薄膜材料,该结果对于制备具有优良性能的大尺寸薄膜光学元件具有借鉴意义。 相似文献
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基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,分别计算了Cr、Cu掺杂Ag晶胞的电子结构和光学特性,计算结果表明,掺杂后Cr、Cu外层电子分别与Ag外层电子发生作用,价带会出现一定展宽;掺杂体系的反射谱和吸收谱在不同波段范围内会发生不同变化,体系的光谱特性发生改变. 研究结果对于光电子器件制备及薄膜界面特性研究具有指导意义. 相似文献
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