场反向等离子体排除磁通量的测量

场反向位形是紧凑环位形中比较好的一种磁约束位形。等离子体完全由极向磁场约束(没有环向场)。实验证明,场反向位形可以长时间稳定地约束等离子体。它具有环形系统的约束特点,又具有开端系统的简单性。目前已成为研究磁约束等离子体的重要课题之一。 在场反向位形实验中,一个简单而重要的诊断工具就是用差分磁环探针,用以测量场反向位形等离子体所排除的磁通量。等离子体的一般行为可以通过测量排除磁通量数据得到。     

场反向等离子体环加热和转移实验

使用场反向θ箍缩所产生的等离子体环,通过线圈端部场线重连变化,使等离子体环得到轴向激波加热和压缩。等离子体环从形成区以7×10~6cm/s的速度向约束区转移。加热后的电子温度Te≤34eV,在约束区的存在时间约为150μs。     

磁控溅射和它的应用

近年来,磁控溅射已成为重要的薄膜沉积技术之一。我国于1982年研制成功第一台磁控溅射镀膜机,比国外只晚几年。随后生产出各种中、小型磁控溅射镀膜机,主要用于制镜和美术陶瓷工艺品装饰性镀膜。 目前,国外发达国家已由装饰性镀膜过渡到功能膜,诸如电磁、光学、机械、防潮和     

场反向位形实验

本文叙述了在CF-Ⅰ装置上,使用端部分幅相机、内部径向磁探针和外部轴向差分磁环探针列阵所测得的关于场反向位形的实验结果。     

用于高温等离子体测量的磁探针标定技术

本文简要地描述了矩形分布探针、位移探针和差分磁环探针的标定方法。用矩形分布探针或位移探针的输出信号对导体棒的位移作图和用差分磁环探针的输出信号对铜管截面积作图,再由实验曲线科率确定比例常数。