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王智惠 《应用声学》1992,11(6):35-38
本发射机系采用功率器件V-MOS管研制.由于V-MOS器件具有高速和无二次击穿的特点,从而成功地克服了长期困扰双极型功率器件的高频运用与安全工作区的矛盾. 本文较详细地讨论了V-MOS器件在变压器耦合电压开关型丁类功放电路中的工作情况;讨论了可能产生的瞬态高压使V-MOS器件击穿而采用的保护措施.  相似文献   
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