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本文基于微磁学理论模拟了多孔α-Fe纳米片的微波磁性能. 与无纳米孔洞的纳米片对比, 发现由于纳米孔洞的引入导致退磁能发生改变, 破坏了纳米片原有的磁畴分布, 使纳米片内部存在数目更多、体积更小、局域有效场强不同的磁畴, 从而增加了高频磁损耗峰的数目. 由于部分损耗峰的相互交叠, 为在10–30 GHz范围拓宽电磁波吸收的带宽提供了潜在可能性. 模拟结果表明多孔纳米片的磁损耗峰数目、强度、峰宽和频率分布受孔洞排布方式和孔洞数目的影响. 由于纳米孔洞的存在可以降低材料的密度, 模拟结果表明多孔α-Fe纳米片可用于开发吸收频段宽、重量轻的电磁波吸收材料. 相似文献
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