用热分析技术测定碳化硅粉体对聚乙二醇的吸附量

用热分析技术TG-DTA(thermal gravimetric and differential thermal analysis)测定浆料中碳化硅粉体对分散剂聚乙二醇PEG(polyethylene glycol)的吸附量. 结果显示PEG在Ar气氛中411.5 ℃时完全分解; 碳化硅表面分散剂PEG的吸附量随着pH的增大而下降, 在较高pH下大多数分散剂仍存在于溶液中; 分散剂PEG的吸附量通过公式(1)进行计算. 该方法简单方便, 可以应用于测量氧化物或非氧化物吸附紫外-可见分光光度法不能测定的一些有机聚合物分子.     

Effect of Density and Surface Roughness on Optical Properties of Silicon Carbide Optical Components

The effect of density and surface roughness on the optical properties of silicon carbide optical components is investigated. The density is the major factor of the total reflectance while the surface roughness is the major factor of the diffuse reflectance. The specular reflectance of silicon carbide optical components can be improved by increasing the density and decreasing the surface roughness, in the form of reducing bulk absorption and surface-related scattering, respectively. The contribution of the surface roughness to the specular reflectance is much greater than that of the density. When the rms surface roughness decreases to 2.228nm, the specular reflectance decreases to less than 0. 7% accordingly.     

尖晶石对β／β″—Al2O3膜相组成和离子导电性的影响

以wag／P”－AI。O。为固体电解质的CO。、SO。、NO。等气体传感器的研究已有很多报道［‘－‘］，多采用的是个AI。O。结构的电解质。AI刀。和p”－AI刃。的结构具有一定的相似性，但后者具有更高的迁移离子浓度和更开放的晶体结构，表现出更好的离子导电性‘’‘．由于卢”－AI。O。为介稳结构，需要加入如Li。O、MgO等作为稳定剂才能稳定存在．以Li对稳定的产”－al。O。烧结较容易，P”－AI。O。相转化率高，但以MsO为稳定剂制备的”－AI刃。其显微结构和抗吸湿性能更为优越．LJLi对和MgO共同稳定的产”－AI。O。可以…     

非硅体系介孔材料的合成*

本文主要从合成角度考察了几种主要类型的非硅介孔材料的研究进展, 从总体发展方面综述了金属氧化物、金属、硫属化物以及碳等材料的介孔形态材料的合成研究。全文回顾了自非硅体系介孔材料最早被合成以来的成果,选择介绍了早期较重要且有代表性的研究成果,详细地述评了其中突破性的进展,并重点介绍了各个体系近年来最新的研究进展。     

碳化硅多孔陶瓷的制备及烧结研究

采用一种新型的造孔剂酵母粉（主要化学成分是C，H，O，N，P，S等元素）制 备碳化硅多孔陶瓷。对碳化硅多陶瓷烧制过程中化学成分的变化进行了详细的研究 ，发现浆料的分散性与甘油添加量之间存在一定的关系。选用Al_2O_3作为烧结助 剂，随着添加量的变化，碳化硅多孔陶瓷的烧结行为也有明显的不同，Al_2O_3最 佳添加量为5% - 10%。酵母粉的添加量也直接影响碳化硅多孔陶瓷的气孔率和抗折 强度。此外，烧成温度和保温时间对烧结也有很大的影响，烧成制品的化学成分随 烧成温度的不同而不同。     

高固相含量羟基磷灰石浆料的制备及凝胶浇注成型

为提高羟基磷灰石(HAP)浆料在水分散体系中的稳定性, 获得良好的固化性能, 采用二甲基丙烯酰胺(DMAA)作为单体, N,N’-亚甲基双丙稀酰胺(MBAM)作为交联剂, 偶氮二咪唑啉丙烷(AZIP)为引发剂, 研究了不同分散剂含量和不同固相含量HAP浆料的流变性. 使用自制的亚微米级粉体原料, 制备了固相含量高达55%(体积分数)的稳定浆料, 并成功实现了浇注成型. 获得相对密度高达57.5%的素坯, 其抗压强度、抗弯强度最高值分别达到(37.0±6.5)和(13.8±1.0) MPa. 经1250 ℃无压烧结2 h, HAP陶瓷具有优良的烧结性能, 相对密度为98.7%, 抗弯强度和弹性模量分别达到了(85.3±9.9) MPa 和(133.0±10.2) GPa.     

高折射率Nd,La共掺杂氧化钇透明陶瓷的光谱性质及其Judd-Ofelt理论分析

采用液相法和真空烧结技术制备了2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷样品.样品晶粒均匀,大小在22μm左右,在晶粒和晶界处都未见气孔.元素线扫描结果表明,Nd离子和La离子均匀地分布于陶瓷晶粒和晶界处.并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱.样品在主吸收峰821nm处的吸收截面为4.3×10-24m2,主荧光发射峰位于1078nm处,实测荧光寿命为0.287ms.采用Judd-Ofelt理论计算了Nd3+在掺La氧化钇陶瓷晶体场中的强度参数Ωλ(λ=2,4,6),自发辐射概率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数.通过F-L公式计算得到2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷中Nd3+的4F3/2→4I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为2.0×10-24m2.结果表明,La离子的掺入可以调节氧化钇透明陶瓷的晶体场,有助于制备符合实际需求的固体激光器材料.     

Nd3+，La3+共掺杂氧化钇透明陶瓷的制备及其性能

采用氨水共沉淀法制备出 Nd3+,La3+共掺杂氧化钇粉体.将粉体在1 700 ℃真空条件下烧结4h成功制备出高质量的Nd3+,La3+共掺杂氧化钇透明陶瓷.对粉体和透明陶瓷样品的显微结构、光谱特性等用XRD、SEM、UV-Vis、FL等手段进行了表征和研究.结果表明:Nd3+和La3+均匀地溶解于氧化钇晶格之中,从而使氧化钇原有晶格常数变大,有序度下降.1100 ℃煅烧后粉体颗粒大小均匀,近似球形,粒径约60 nm,粉体具有Nd3+特有的荧光发射光谱特性.烧结后,透明陶瓷晶粒均匀,粒径约22.2 μm,晶粒内和晶界处都未见气孔存在:样品(厚度为2 mm)对800 nm光的透过率高达76%;主吸收峰位于821 nm处,吸收峰半高宽为5 nm.4F3/2→4I11/2这组发射跃迁的强度最大,荧光发射主峰位于1078 nm处,适合于作为激光透明陶瓷应用.     

Al掺杂6H-SiC的磁性研究与理论计算

d~0铁磁性SiC被认为是自旋电子学领域的关键材料之一,受到广泛关注.本文采用氩气气氛保护的共烧掺杂方法制备具有d~0铁磁性的Al掺杂6H-SiC粉体.氩气气氛能有效抑制SiC在高温下的分解,保护Al的有效掺入.所制备的粉体磁滞回线明显,矫顽力大,饱和磁矩达到0.07 emu/g.随着煅烧温度的升高,粉体从原来的抗磁性逐渐转变为铁磁性,当温度进一步升高至2200℃以上时,粉体重新表现为抗磁性.采用第一性原理计算了其磁性的来源,并分析其净自旋在正空间中的分布情况.计算表明,Al原子与空位的共同作用产生了1.0μB的局域磁矩,且其在c轴方向具有较稳定磁耦合作用.Al掺杂6H-SiC粉体的磁性主要来自于C原子的p轨道电子.