中子单粒子效应TCAD仿真

分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。     

喷墨打印有机晶体管早期失效机理的光谱学研究

喷墨打印工艺是新兴的有机电子器件制造核心技术之一,而聚合有机半导体材料的选择从一定程度上决定了其可打印性和所制造器件的工作性能,因此变得极其重要。本文对PTAA(Polytriarylamine)这种聚合有机半导体材料进行了研究。用PTAA喷墨打印技术制备出了具有一定MOSFET器件特性的有机晶体管(OFET)并对其电学特性进行测试分析,利用红外光谱技术对PTAA材料在器件工作中所表现出的早期失效现象进行研究。