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采用射频磁控溅射技术与热退火处理制备了纳米锗镶嵌二氧化硅(nc-Ge/SiO2)复合薄膜.对薄膜的光吸收谱进行分析,得到了纳米Ge晶粒的光学带隙.单光束Z-扫描的实验结果表明薄膜具有较强的可饱和吸收特性.将薄膜作为可饱和吸收体插入LD端面抽运的Nd:YVO4激光器内,分别实现1342 nm和1064 nm激光的被动调Q,得到脉宽分别为29 ns和22 ns的脉冲序列.理论分析认为,纳米Ge晶粒形成的界面态和缺陷态对1342 nm激光产生的饱和吸收作用,是导致被动调Q的主要原因. 相似文献
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