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采用化学气相沉积方法, 利用Sb2O3/SnO作为源材料, 在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO2薄膜, 并在此基础上制作出p-SnO2:Sb/n-SnO2同质p-n 结器件. 研究表明, 随着Sb含量的增加, 样品表面变得平滑, 晶粒尺寸逐渐增大, 且晶体质量有所改善, 发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用. Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO2呈现p型导电特性, 当Sb2O3/SnO的质量比为1:5时, 其电学参数为最佳值. 此外, p-SnO2:Sb/n-SnO2同质p-n结器件展现出良好的整流特性, 其正向开启电压为3.4 V. 相似文献
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