P2+和P+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究

本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×10¹⁴/cm²P₂⁺和90KeV,2×10¹⁴/cm²P⁺注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P₂⁺,P⁺注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P₂⁺和P⁺在硅中引入不同的损伤造成的。P⁺注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。 关键词：     

低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究

对１─１００ｅｖ的低能位子轰击Ｓｉ（００１）－２×１表面进行了分子动力学模拟研究，利用二维偶对相关函数分析了低能轰击对表面层原子行为的影响。研究表明，１０ｅＶ，１００ｅＶ粒子的轰击，一方面增强了表面原子形成二聚体的能力，使表面二聚体成键数量增加；另一方面，也使表面原子的排列更趋无序。１ｅＶ的粒子对表面原子行为的影响不大，只是使表面原子的振动加剧。     

磷化铟中离子注入硅的双性行为研究

本文研究了热靶条件下注Si⁺的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si⁺单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P⁺注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si⁺的磷化铟中存在Si_p-V_p络合物缺陷,共P⁺注入能抑制其形成,表明Si⁺注入磷化铟中呈双性行为,还对Si⁺+P 关键词：     

Si(001)表面层及近表面层原子行为的分子动力学模拟研究

用分子动力学方法模拟了Si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析表明:表面层的大部分原子发生成键,键长为0.24nm;近表面层的其它几层原子仍保持原平面晶格构型。另外,对表面层和近表面层原子的弛豫问题也进行了模拟研究。 关键词：     

硅中分子离子注入的损伤增强效应

本文研究了单晶硅中磷分子离子(P₂⁺)注入相对于磷原子离子(P⁺)注入的损伤增强效应,系统分析了这种损伤增强效应与注入剂量、能量、靶温的关系以及注入后退火的特征,利用我们提出的离子注入时分子离子与靶原子的多体碰撞模型对其物理机制进行了讨论.     

光调制红外热像仪的设计与有限元模拟

新型热像仪是一种基于微机械技术的光调制热成像系统,它采用光调制原理来实现像转换和像增强,春核心是一个采用与互补型金属氧化物半导体工艺相溶的微机械技术制作的光调制热成像器件。该系统具有一系列潜在的优点：灵敏度和分辨率高、体积和能耗小、响应时间短并可在室温下工作。叙述了器件的设计和建模,通过一种简化的悬臂梁理论计算了其灵敏度、最小可探测能量及响应时间等参数,并对双材料梁的设计进行了优化。采用ＡＮＳＹＳ５．４程序对设计的器件进行了有限元模拟,得到的灵敏度和响应时间分别为０．０３ｍ／Ｗ和６ｍｓ。