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1.
Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟
总被引:2,自引:0,他引:2
王超营
孟庆元
李成祥
钟康游
杨志伏
《计算物理》
2008,25(4):488-492
首先使用分子动力学方法(MD)得出了左弯结(LK)和右弯结(RK)在不同温度和剪应力作用下的速度特性和运动过程.然后利用基于紧束缚势(TB)的nudged elastic band(NEB)方法计算LK和RK的迁移势垒.由计算结果得出,单个LK或RK的势垒很高,运动速度相对较慢;LK中的多弯结对结构和由RK分解产生的右弯结-重构缺陷(RC)能够加速位错运动;其中,RC能促进30°部分位错更快地迁移.
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