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专业分类
物理学
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出版年
1986年
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1.
键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响
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马洪磊
周玉芳
李敦银
《物理学报》
1986,35(6):725-730
测量了在不同衬底温度下制备的GDa-Si:H膜的光致发光谱和光吸收谱。实验发现键合氢含量的增加导致光致发光峰强度、发光峰能量、发光带半宽度、Stokes位移和热淬灭的增大。由此导出:(1)键合氢不仅能消除无辐射复合中心,而且能产生辐射复合中心;(2)随着键合氢含量的增加电子-声子相互作用增强,带尾宽度缓慢变窄。
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