二次电子发射系数对含有超广延分布电子的等离子体器壁电势的影响

采用一维模型研究本底电子为麦氏分布的等离子体中存在部分超广延分布的高温电子情况下的二次电子发射系数对器壁电势的影响。数值模拟结果表明：当器壁二次电子发射系数较小时,器壁电势随着超广延分布电子与本底电子的浓度比值、温度比值、以及超广延参量这些参数的增加而减小;当器壁二次电子发射系数较大时,器壁电势则随着超广延分布电子与本底电子的浓度比值、温度比值、以及超广延参量值的增加而增加。     

两种温度电子对稳态等离子体鞘层的影响

建立包含冷热电子的无碰撞等离子体鞘层的流体模型,利用数值模拟研究含有两种温度电子时等离子体鞘层的产生.结果表明:对于含有两种不同温度电子的稳态等离子体,冷电子的温度越低或者冷电子的含量越多,鞘边离子的马赫数临界值就越小,鞘层的宽度就变得越窄,沉积器壁的离子动能流也就越少.此外,研究不同种类的等离子体(Ar、Ke、Xe),鞘层厚度和离子沉积器壁动能流受冷电子的影响.     

碰撞对两种正离子的电负性磁鞘影响的数值研究

建立包括两种正离子的电负性磁鞘的流体模型,利用四阶龙格库塔法数值求解描述一维稳态等离子体鞘层的方程组,考察离子与中性粒子碰撞对一维稳态等离子体鞘层的影响.结果表明:鞘边Ar⁺与He⁺的含量比值与碰撞参数对离子马赫数的取值范围都有影响.鞘边负离子含量越少,碰撞对鞘层中带电粒子密度的影响越明显.并且随碰撞参数的加大,鞘层中电子、负离子的密度下降越快,两种正离子的密度则呈现不同的波动变化.鞘边负离子含量越多,碰撞对鞘层中两种正离子的速度影响就越明显.此外,碰撞参数越大对鞘边δ越大的鞘层中的带电粒子密度影响越大.     

“数学物理方法”课程教学内容的组织探讨

提高教学质量是高校提高人才培养质量的重要环节.针对物理类专业重要的核心课程——数学物理方法,对学生学习过程中难以学习和掌握的知识点的教学进行讨论,为教学改革提供参考,从而进一步提高学生的学习效率.     

中专物理教学中的学法教育

学法教育的重要性教学是教师教和学生学的两个方面．教有教法，学也有学的方法，学生可以不研究教师的教法，教师却不能不研究学生的学法．只重视教法研究和探讨，而忽略学法研究是片面和错误的．殊不知，教是为了学，学生不会学，教师讲的再好，也作用不大．孔子在《论语...     

含时波包法研究NaH分子的光解截面

采用傅立叶格点哈密顿方法求解含时薛定谔方程、劈裂算符方法传播波函数,计算了NaH分子在三组势能曲线下从初始态X1Σ (v″=0)跃迁到激发态B1Π的光解截面.研究表明影响光解截面最大值及相应光子能量的关键因素是解离阈能,势能曲线间相对小的平移对计算结果影响不大.应用含时量子力学方法计算光解截面时,车比雪夫多项式方案和劈裂算符方法能够给出基本相同的结果.     

杂质离子对等离子体边界参量的影响

采用一维流体模型研究了含有杂质离子的等离子体与器壁材料相互作用给边界等离子体参量带来的影响.通过数值模拟，研究了分别选用碳和钨作为器壁材料时，器壁温度不同情形下热发射产生的电子对等离子体器壁电势、电场强度、热发射电子流以及沉积器壁离子动能流的影响.研究结果发现，当面向等离子体材料表面温度升高时，器壁电势和热发射产生的电流将增加，器壁电场强度和离子沉积器壁动能流则会减小，并且钨作为器壁材料要比碳作为器壁材料对于等离子体边界参量影响更明显.此外，研究了钨作为器壁材料时，碳杂质离子（浓度和电荷数）对等离子体器壁参量的影响.