多阴离子和铜磷酸盐为基元的杂化材料的合成、结构和性质

本文采用水热法合成了一个新的金属有机-无机杂化化合物 [Cu₄(phen)₄(HPO₄)₂(H₂O)₂(OH)₂][HPMo₁₂O₄₀]·H₂O (1) ( phen=邻菲咯啉)。通过元素分析、红外光谱、热重分析、X-射线单晶衍射对其进行了结构表征。化合物1是由四核铜磷酸盐、Keggin阴离子和晶格水分子组成。四核铜磷酸盐和多阴离子之间通过弱的M…O相互作用形成二维结构(M=Cu, Mo), 该二维结构通过氢键和π-π相互作用形成三维超分子框架,还对化合物1的电化学和电催化性质进行了研究。     

MAX相Nb2SnC和Nb2SnN的力学和热力学性质的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理,在广义梯度近似下研究了MAX相Nb₂SnC和Nb₂SnN的力学、晶格动力学、电子以及热力学性质.通过弹性常数和声子的计算,研究了Nb₂SnC和Nb₂SnN两种结构的力学稳定性和动力学稳定性;通过对Nb₂SnC和Nb₂SnN的力学性质计算,证明了它们均具有较高的体积模量和剪切性,并且说明了Nb₂SnC和Nb₂SnN是具有弹性各向异性的韧性材料.此外,通过计算电子能带结构和态密度,研究了Nb₂SnC和Nb₂SnN的电子性质和成键性质,结果表明,两个化合物均具有金属导电性和较强的共价键,而且Nb₂SnN比Nb₂SnC具有更强的金属导电性.最后利用声子色散曲线预测了热容、自由能、焓和熵等热力学性质,结果标明,计算出的熵、焓和自由能值变化符合热力学第三定律.     

氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为.实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液pH值为3.0,扫描速率为120 mV/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8 mol/L～ 1.0×10-3 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8 mol/L.氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性.     

基于第一性原理研究Ta2AlC的电子结构和光学性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算软件Materials Studios 5.5的CASTEP软件包,分另计算了Ta2AlC的电子结构和光学结构,从电子结构角度分析光学性质的变化规律.从能带结构分析结果可知,Ta2AlC是电导体.结合Ta2AlC的电子结构可知,其介电常数峰值是由Tad和Cs的轨道间电子的跃迁产生的.Ta2 AlC在可见光区的反射率变化幅度小,说明它可以作为一种温度控制涂层材料.Ta2 AlC在紫外光区呈现出较大的反射率,说明它是一种潜在的防紫外线材料.     

Nd：DL—ALa：L—GLu：TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择Ｎｄ２Ｏ３、Ｌ－谷氨酸ＤＬ－丙氨酸为掺杂剂，生长出Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体，测定了其热释电性能。结果表明，Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体有希望成为性能优良的热释电新的晶体材料。