锗基底7～11.5μm高性能红外宽带减反射膜的研究

为了提高锗基底的透过率和膜层的机械强度，对锗基底上高性能的红外宽带减反射膜的设计与制备工艺进行了研究。介绍了红外宽带减反射膜的膜料选择、膜系设计以及采用 离子束辅助沉积该膜系的过程。给出了用该方法制备的7～11.5μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线，其峰值透过率高达99.5％以上，在设计波段范围内平均透过率大于97.5％， 膜层附着性能好，光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。     

变角测量反射的新装置

介绍在红外傅里叶交换光谱仪内设置一种变角装置，可以使入射角在１２°～１７°范围内改变，并具有高精度和可靠性。     

电子束蒸发TiO2薄膜的光学特性

研究了不同工艺参数条件下，电子束蒸发TiO2薄膜的光学特性。在正交实验的基础上，利用离子束辅助沉积技术，获得了影响TiO2薄膜折射率的主要因素．得到了TiO2薄膜的折射率随氧气分压的关系。对离子氧和分子氧两种情况下TiO2薄膜的折射率进行了比较．得到了TiO2薄膜的折射率与沉积速度的关系，并给出了TiO2薄膜的红外吸收光谱。     

电子束蒸发TiO2薄膜的光学特性

研究了不同工艺参数条件下，电子束蒸发TiO₂薄膜的光学特性。在正交实验的基础上，利用离子束辅助沉积技术，获得了影响TiO2薄膜折射率的主要因素．得到了TiO2薄膜的折射率随氧气分压的关系。对离子氧和分子氧两种情况下TiO2薄膜的折射率进行了比较．得到了TiO2薄膜的折射率与沉积速度的关系，并给出了TiO2薄膜的红外吸收光谱。     

用脉冲多弧离子放电技术镀制类金刚石薄膜及其化学结构和物理特性

利用脉冲多弧离子镀膜技术，以石墨为阴极镀制的无定形碳膜，其化学结构可用Raman光谱仪进行。薄膜的硬度和电阻率物理特性，可用常规方法测量。     

光声法研究C_2H_5OH的红外多光子离解产物C_2H_4的增长规律

近年来,光声光谱技术由于它的高灵敏度及装置简单等优点而得到了广泛的应用[1].我们利用光声法研究了C2H5OH的多光子离解产物C2H4,提供了测定C2H4产物增长速率的简单可靠的方法.Danen曾用红外光谱及气相色谱法检测了C2H5OH的离解产物[2],但因灵敏度有限,只能通过在较高的气压条件下多次辐照后才能探测出生成物的含量.因此,用上述方法研究C2H4产物的增长规律是很困难的.如果用光声法,采用 CW CO2激光器做光源,就可以方便地检测到每次激光辐照后C2H4生成物的单次产额、相对浓度及C2H4增长规律等数据,为研究红外多光子离解提供了一个…     

比较2种溅射方法镀制的氧化硅薄膜

比较了磁控反应溅射(RMS)法与离子束反应溅射(RIBS)法沉积得到的氧化硅薄膜的光学特性,并确定了其对折射率n、消光系数k、沉积速率和混合工作气体Ar/O2中氧含量的依赖性关系。工作气体中O2含量大于15%时通过RMS法沉积的氧化硅薄膜在0.63μm波长折射率约为1.52~1.55,消光系数低于10-5。当O2含量在80%以上时RIBS方法沉积氧化硅薄膜的折射率n=1.52~1.6,消光系数低于10-5。用RMS沉积SiO2薄膜,当氧气量超过15%时发生反应模式,此时沉积速率下降近5倍。而用RIBS时,沉积速率并不依赖氧气在混合工作气体中的含量。     

离子束反应溅射沉积SiO2薄膜的光学特性

 主要研究采用离子束反应溅射（RIBS）制备SiO2薄膜的折射率、消光系数、化学计量比与氧气在氩氧混合工作气体中含量及其沉积速率的关系。研究结果表明：RIBS制备的SiO2薄膜在0.63 μm处折射率n= 1.48,消光系数小于10-5;随着沉积速率的增加,薄膜的折射率和消光系数随之变大,当沉积速率超过0.3 nm/s,即使是在纯氧环境溅射,折射率值也不低于1.5;通过对红外透射光谱的主吸收峰位置研究得到沉积的SiO2薄膜为缺氧型,化学计量比不超过1.8,且红外吸收峰位置和SiO2折射率存在对应关系,因此在不加热衬底情况下使用RIBS制备SiO2薄膜时,会限制沉积速率的提高。     

在线钢板测长仪的研究

用光电转换方法把钢板在线上的长度信息输入到单片机进行自动记录,最终给出班次、规格、材质、长度等打印结果。