光栅局域调控二维光电探测器

近年来,二维材料独特的物理、化学和电子特性受到了越来越多的科研人员的关注.特别是石墨烯、黑磷和过渡金属硫化物等二维材料具有优良的光电性能和输运性质,使其在下一代光电子器件领域具有广阔的应用前景.本文将主要介绍二维材料在光电探测领域上的应用优势,概述光电探测器的基本原理和参数指标,重点探讨光栅效应与传统光电导效应的区别,以及提高光增益和光响应度的原因和特性,进而回顾光栅局域调控在光电探测器中的最新进展及应用,最后总结该类光电探测器面临的问题及对未来方向的展望.     

联合深度编解码网络和时频掩蔽估计的单通道语音增强

提出了一种联合深度编解码神经网络和时频掩蔽估计的语音增强方法。该方法利用深度编解码网络估计时频掩蔽表示,并联合带噪语音的幅度谱学习带噪语音与纯净语音幅度谱之间的非线性映射关系。深度编解码网络采用卷积-反卷积网络结构。在编码端,利用卷积网络的局部感知特性,对带噪语音的时频域结构特征进行建模,提取语音特征,同时抑制背景噪声。在解码端,利用编码端提取到的语音特征逐层恢复局部细节信息并重构语音信号。同时,在编解码端对应层之间引入跳跃连接,以减少由于池化和全连接操作导致的低层细节信息丢失的问题。在TIMIT语音库和不完全匹配噪声集下进行仿真实验,实验结果表明,该方法可以有效抑制噪声,且能较好地恢复出语音细节成分。      

Fabrication of Ge Nano-Dot Heterojunction Phototransistors for Improved Light Detection at 1.55μm

Heterojunction phototransistors （HPTs） with several Ge/Si nano-dot layers as the absorption region are fabricated to obtain improved light detectivity at 1.55μm. The HPT detectors are of n-p-n type with ten layers of Ge（8ML ） /Si（45nm） incorporated in the base-collector junction and are grown by an ultrahigh-vacuum chemicalvapor-deposition system. The detectors are operated with normal incidence. Because of the good quality of the grown material and fabrication process, the dark current is only 0.71pA/μm^2 under 5 V bias and the breakdown voltage is over 20 V. Compared to the positive-intrinsic-negative （PIN） reference detector with the same absorption layer, the responsivity is improved over 17 times for normal incidence at 1.55μm.