晶态硅中氢化单空位的络合物模型

本文对氢化单空位模型中SiH键间的相互作用对总能量的影响进行了计算。据用全略微分重迭(CNDO/2)方法计算的结果,单空位中四个氢原子有较明显的相互作用,四氢原子络合成组是含氢单晶硅中一种合理的氢相关组态模型。 关键词：     

一个利用量子化学方法计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式

本文将前人对硅烷类分子中Si—H红外吸收光谱实验结果和我们对其键长、键级的量子化学计算结果进行综合分析,得到了一个计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式:v~2=1.635×10~7·P·R~(-3/2)+7.458×10~(-2)。用该公式对七种硅烷类分子的计算得到了满意的结果,平均偏差不超过0.4%。     

a-Si:H掺杂机理的研究

本文利用CNDO/2量子化学理论方法,对P和B原子在四面体配位的Si₄₆和Sl₄₆H₆₀H₄^*原子集团中置换Si原子前后的原子集团能量和能态分布变化进行了计算.计算结果表明:1)在Si₄₆H₆₀H₄^*原子集团中用P(或B)置换引Si原子后在能隙中明显地出现施主(或受主)态子带,同样在Si_{46相似文献}   

a-Si:H中本征缺陷引起的赝隙态

本文取原子集团模型Si₈H₁₈,Si₁₇及从连续无规网络中挖取的集团模型Si₂₉和Si₄₇,用CNDO LCAO-MO方法计算其电子结构,探讨了a-Si:H中由弱键、弯键和带电组态等本征缺陷引起的赝隙态分布。结果表明,当弱键拉伸时,两个弱键态移动并收缩至带隙中央;过剩电荷使弱键能级移至价带顶或导带底附近;弯键态主要出现在价带顶附近。当弯键曲率较大时,弯键态上移至带隙中央以下的区域。结构拓扑无序导致 关键词：     

辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究

一、引 言 非晶态硅(a-Si)太阳能电池的研究,是近几年来世界上引人注目的一个重要课题.主要原因是a-si材料成本低,而且在用于制造太阳能电池时具有某些较好的性能,如在太阳光谱峰值附近,a-Si的光吸收系数比单晶硅高出近一个数量级.早在1976年,就有人制得了能量转换效率高达5.5%     

非晶硅短程序与电子结构关系的量子化学研究

本支通过对Si_(29)无规网络原子簇模型的CNDO计算,探讨了非晶硅(a-Si)结构短程序对其电子态密度(DOS)分布的影响。结果表明,在与实验原子径向分布函数(RDF)基本相同的条件下,a-Si模型中的键角和二面角是影响电子态密度分布的主要参数。     

高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性

本文报道由rf溅射技术将稀土元素Y掺入非晶硅,当掺Y浓度为20％左右时,获得了室温直流电导率为2×10¹Ω^-1·cm^-1的a-Si:H:Y合金膜。测量表明该合金膜是n型。变温电导测量指出,在测量温度范围内lnσ与l/T的关系可拟合于两条直线。对于衬底温度为260℃,290℃和330℃溅射的合金膜,其转折点分别出现在～70℃,～75℃和～90℃。这表明a-Si:H:Y合金膜存在两种电传导机制:在室温附近电子在Y施主杂质带内跳跃传导,在高温情况下电子在导带延展态内传导。并且得到Y施主杂质带中心处于导带E_c以下0.06—0.07eV。 关键词：