半导体激光器M^2因子可以小于1

根据Porras的非傍轴矢量矩理论，对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究，结果表明，在有源层厚度da远小于波长λ的条件下，半导体激光器的M62因子可以小于1，并且没有下限。     

半导体激光器的M2因子可以小于1

根据Porras的非傍轴矢量矩理论,对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究.结果表明,在有源层厚度d_a远小于波长λ的条件下,半导体激光器的M²因子可以小于1,并且没有下限.     

半导体激光器的M2因子可以小于1

根据 Porras的非傍轴矢量矩理论 ,对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究 .结果表明 ,在有源层厚度 da远小于波长 λ的条件下 ,半导体激光器的 M2 因子可以小于 1 ,并且没有下限 .     

量子阱半导体激光器的光束质量

本文给出了一种非截取地收集非傍轴激光束,并把它变换成傍轴光束的方法,将之运用到量子阱半导体激光器的实验中发现了一些重要的现象.经过测量和计算得到它垂直于结方向的等效光束质量原子M_y²明显小于1,根据该结果对半导体激光器的设计和使用提出了建议.