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1.
2.
采用非共价复合方法,设计并合成了具有星形结构的聚甲基丙烯酸甲酯/星形聚乙二醇半互穿聚合物网络(PMMA/SPEG)和聚甲基丙烯酸甲酯/线性聚乙二醇半互穿聚合物网络(PMMA/LPEG).研究了PEG分子量对PMMA/SPEG和PMMA/LPEG的热性能、机械性能、动态机械性能和形状记忆性能的影响.结果表明,与PMMA/LPEG相比,星形结构的嵌入显著提高了PMMA/SPEG复合物的机械性能、形状回复率和回复速度.采用Edwards管道模型理论对其形状记忆效应的分子机理进行了阐释,利用材料的应力松弛特性对机理分析进行了验证. 相似文献
3.
To elucidate the mechanisms of Zr + reacting with COS,both the quartet and doublet potential energy surfaces (PESs) for reactions of Zr + (4 F,2 D) with COS in the gas phase have been investigated in detail by means of density functional method (B3LYP).To obtain more accurate results,the coupled cluster single-point calculations (CCSD(T)) using B3LYP optimized geometries were performed.For the C-O bond activation,the calculated results indicate that both the quartet and doublet states proceed via an insertion-elimination mechanism.For the C-S bond activation,the quartet reaction has an insertion-elimination mechanism,but the doublet reaction is a direct abstraction of the sulfur atom by Zr +.The C-S bond activation is found to be energetically more favorable than the C-O bond activation.It is found that the reaction of the 4 F gound state of Zr + to yield ZrO + is spin-forbidden (Zr + (4 F) + COS (1 Σ) → ZrO + (2) + CS (1 Σ)) and the crossing points were approximately determined.All the results have been compared with the existing experimental and theoretical data. 相似文献
4.
5.
目前居民收入分配问题,特别是城乡居民收入差距问题已成为中国社会面临的需要高度重视和尽快解决的问题.在2007年全国投入产出表的基础上,利用多个部门的相关数据将我国居民收入划分为农村居民收入和城镇居民收入两个收入群体,对两个群体在各部门的收入分配情况进行了分析.同时,利用投入产出局部闭模型和宫泽乘数方法,对农村居民收入和城镇居民收入之间的拉动关系以及各部门最终需求的变动对农村和城镇居民收入的影响进行了定量分析. 相似文献
6.
7.
新型毒品犯罪已成为全球公共安全的突出问题。芬太尼类化合物作为一种新型毒品,在全球范围内制造、走私、滥用等方面问题日益严重。基于此,综述了芬太尼类化合物的种类和结构特点、体内代谢及毒性、前处理方法、检测方法,并对芬太尼类化合物未来检测的发展趋势进行了展望(引用文献34篇)。 相似文献
8.
在0.75mol·L-1硫酸溶液中,抗坏血酸可将Mo6+还原为Mo5+,而硫氰酸铵能与生成的Mo5+显色,在波长465nm处有最大吸收峰,据此提出了一种流动注射-分光光度法测定钴钼催化剂浸渍液中超高浓度钼离子含量的方法。钼的质量浓度在3.3~93.3g·L-1范围内与其ΔA呈线性关系,方法的检出限(3s/k)为0.35g·L-1。方法用于钴钼催化剂浸渍液中钼离子含量的测定,测得方法的回收率在95.0%~101%之间,测定值的相对标准偏差(n=11)小于1%。 相似文献
9.
采用射频磁控溅射技术, 在不同温度下制备了N掺杂Cu2O薄膜.透射光谱分析发现, N掺杂导致Cu2O成为允许的带隙直接跃迁半导体, 并使Cu2O的光学禁带宽度增加.不同温度下沉积的薄膜光学禁带宽度Eg=2.52± 0.03 eV.第一性原理计算表明, N掺杂导致Cu2O的禁带宽度增加了约25%, 主要与价带顶下移和导带底上移有关, 与实验报道基本符合.N的2p电子态分布不同于O原子, 在价带顶附近具有较大的态密度是N掺杂Cu2O变成允许的带隙直接跃迁半导体的根本原因. 相似文献
10.