掺镱石英光纤预制棒的制备与表征

采用改进化学汽相沉积结合溶液掺杂法制备了掺镱石英光纤预制棒,并研究了不同镱掺杂浓度下的吸收光谱和发光光谱.吸收光谱和发光光谱的强度随着YbCl₃溶液浓度的增大而增强.在不产生失透的前提下,得到预制棒芯层能够掺杂的YbCl₃溶液最大浓度为0.057 mol/L.     

全合成法光纤预制棒制造研究

介绍了一种全新的全合成法G.655和G.656光纤制造工艺,详细分析了该工艺中芯层折射率差Δ0、芯层厚度a、第二包层的折射率差Δ2、第二包层的厚度c2等结构参量与光纤光学性能的关系.结果表明,制造该两种光纤时,Δ0应在0.012 0～0.015 5之间,Δ2应在0.014 0～0.023 0之间,a应在2.8～3.2 μm之间,c2应在满足截止波长的要求下尽可能小.     

种子溶胀悬浮聚合法制备分子印迹聚合物微球

 以酪氨酸为印迹分子 ,甲基丙烯酸为功能单体 ,三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯 (TRIM )为交联剂 ,采用种子溶胀悬浮聚合法在水溶液中制备了一系列分子印迹聚合物微球 (MIPMs)。利用扫描电镜 (SEM)对此微球的粒径大小、粒径分布、表面孔与孔径分布等进行了分析研究 ,探讨了影响其形貌的主要因素 ,并将所得微球用作固定相研究了其分子选择吸附性能。研究表明 ,种子溶胀悬浮聚合法能够制得单分散性较好的、表面带有微孔的分子印迹聚合物微球 ,且该微球呈现出较好的特异吸附性能。     

乳液聚合法制备亚微米级分子印迹聚合物微球

以西咪替丁为印迹分子，2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸(AMPS)为功能单体，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸甲酯(TRIM)为交联剂，采用乳液聚合法制备了亚微米级分子印迹聚合物微球．利用扫描电镜对此聚合物微球的形貌进行了观察，探讨了影响乳液稳定性、粒径大小与分布的主要因素，重点对聚合工艺和配方进行了优化，并将所得的聚合物用作吸附剂研究了其分子识别与选择性能．研究表明，乳液聚合法能够制得单分散性较好的、平均粒径在0．169μm～0．407μm的分子印迹聚合物微球，且该微球对其印迹分子呈现出较好的特异识别与选择性能，当以苯丙氨酸为竞争分子时，分离因子可达1．70．     

G.657光纤的制备及其性能

G.657光纤具有优异的弯曲损耗不敏感性能.被认为是诸如光纤到户(FTTH)等局域网和接入网系统的首选产品,因此,该光纤的研究倍受重视.提出了一种采用全合成工艺制造G.657光纤的方法,详细探讨丫芯层和第一包层区的厚度(a,b)及其折射率差(△1、△2)与光纤性能之间的关系.研究表明,当α的取值在3.5～4.0 μm之间,b的取值在0.5～1.9μm之间,△1的取值在0.0034～0.0045之间,△2的取值在-0.0006～0之间时,可制得满足ITU.T G.657.A标准的光纤;当α的取值在2.8～3.2μm之间,b的取值在0.8～2.1 μm之间,△1的取值在0.0058～0.0072之间,△2的取值在-0.0016～-0.0008之间,可制得满足ITU.T G.657.B标准的光纤.且该光纤在结构上相对简单,无特殊设计的沟、槽、孔,因此制作工艺相对容易、稳定,易于推广和应用.     

分子印迹聚合物微球的制备及应用研究进展

球形分子印迹聚合物具有制备简单、使用方便；分子识别效率高且便于功能设计等优点，近年来成为分子印迹技术领域研究的热点之一。对球形分子印迹聚合物微球的制备及其应用研究进展作了较为详细的介绍。     

非零色散位移光纤的改进设计及制造

介绍了一种新颖的非零色散位移光纤结构设计方法及其MCVD+OVD制造工艺,所制备的光纤有效面积达到71 μm2以上.采用关键结构区域精确微扰方法,改进了光纤的色散特性.1550 nm处色散斜率由0.0715 ps/(nm2·km),分别减小至0.0605 ps/(nm2·km),0.0466 ps/(nm2·km),零色散波长由1500 nm附近移至1450 nm以下.测量表明,所得光纤具有优越的光学传输特性、抗弯曲性能和熔接性能,适用于C+L和S+C+L工作波长的大容量高速率长距离密集波分复用系统.光纤关键结构区域精确微扰是改进光纤性能的一种有效方法,该方法不限于MCVD工艺和非零色散位移光纤,对新型光纤的设计和生产具有积极的指导意义.     

电镀铜对YBCO超导带材临界电流影响的研究

钇系超导带材(YBCO)由于载流能力强、不可逆场高,是近年来高温超导材料领域的研究热点,并在电力行业实现示范应用。YBCO超导带材由基底、缓冲层、超导层和保护层组成,可通过电镀铜工艺实现保护层的制备。目前,有关电镀铜对YBCO超导带材临界电流的影响还鲜有报道。因此,本研究对比了镀铜前后YBCO超导带材的表面形貌和临界电流。实验结果表明:电镀铜在提高带材机械强度的同时,对其超导电性并无明显影响。     

10kA超导直流输电电缆系统损耗特性研究

超导电力技术具有诸多优势和良好的应用前景,世界范围内已完成多个超导电力装置的研发和示范应用。一根360m/10kA高温超导直流输电电缆(10kA超导电缆)的研制已经完成并成功实现并网示范运行。文中介绍了10kA超导电缆主要结构参数,讨论了超导电缆损耗源,重点分析了10kA超导电缆终端、低温杜瓦管和通电导体的损耗情况,终端电流引线是超导电缆热损耗最主要来源。10kA稳态运行条件下的损耗测试情况表明,低温液氮闭合循环系统满足10kA超导电缆冷却要求,其自身低温损耗为1600W左右,与分析结论基本吻合。     

超细低水峰抗弯损光纤的设计及制作

采用全合成预制棒制造法（VAD＋OVD）和改进的G.652.D光纤拉制法制造光纤.研究了工艺中光纤芯径的大小、第一包层的厚度、芯包折射率差、芯包比等参量与光纤弯曲性能的关系,并据此制作了几种超细低水峰抗弯损光纤.该光纤的裸光纤直径约80 μm,涂覆后成品光纤直径约140 μm,当弯曲半径不小于7.5 mm时,能够在1 260～1 625 nm整个波段内满足DWMD的传输要求.