自发Raman散射过程中写激发率对光与原子纠缠源质量的影响

在87 Rb冷原子系综中,利用自发Raman散射过程,实现了光与原子的纠缠。测量了Bell参数S随着写激发率的变化关系,当写激发率增加时,Bell参数S逐渐下降。当写激发率约为1%时,测量了Bell参数S与自旋波存储时间的关系。实验测得Bell参数S会随着存储时间t的增大而减小,在t=80μs的时候S参数的测量值仍然大于2,证明产生的光与原子的纠缠可以保持80μs以上。本文的研究结果为产生高质量的光与原子量子纠缠提供了实验基础。