热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟

为了研究热屏位置对φ200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟.结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小.合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量.     

加热炉断面温度场和固相辐射参数检测研究

通过在一台步进式加热炉均热段的南北侧墙上安装2支火焰探测器,获取火焰在红、绿波长下的近似单色辐射强度图像,利用修正的Tikhonov正则化方法从绿色单色辐射强度信息中重建炉内温度分布,同时以红色单色辐射强度作为最优化目标重建炉壁和空间固相辐射参数分布。检测结果表明,该重建算法可以较好地同时重建出温度场与固相辐射参数。     

硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟

为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理.结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大;3 ×3 ×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析;当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加;空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能.     

热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟

为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对φ200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化.     

直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟

为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律.结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基体中空位扩散和双空洞长大的过程;双空洞长大趋势随着模拟时间和初始空位浓度的增强而加强;随着空洞初始中心间距的增加和初始空位浓度的减小,双空洞长大由相互融合模式转变为独立长大模式.