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二硫化钼(MoS2)作为一种新兴的二维半导体材料,它具有天然原子级的厚度以及优异的光电特性和机械性能,在未来超大规模集成电路中具有巨大的应用潜力.本文综述了我们课题组在过去几年中在单层MoS2薄膜研究方面所取得的进展,具体包括:在MoS2薄膜制备方面,通过氧辅助气相沉积方法,实现了大尺寸MoS2单晶的可控生长;通过独特的多源立式生长方法,实现了4 in晶圆级大晶粒高定向的单层MoS2薄膜的外延生长,样品显示出极高的光学和电学质量,是目前国际上报道的质量最好的晶圆级MoS2样品;通过调节MoS2薄膜的氧掺杂浓度,可以实现对其电学和光学特性的有效调控.在MoS2薄膜器件与应用方面,利用制备的高质量单层MoS2薄膜,实现了高性能柔性晶体管的集成,这种大面积柔性逻辑和存储器件显示出优异的电学性能;在集成多层场效应晶体管的基础上,设计,加工了垂直集成的多层全二维材料的多功能器件,充分发挥器件的组合性能... 相似文献
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