第二配体对Sm(DBM)3掺杂的PMMA样品发光的影响

分别使用phen（1,10-邻菲咯啉）、TOPO（三正辛基氧化磷）、TPPO（三苯基氧化磷）作为第二配体与Sm（DBM）3（DBM：二苯甲酰甲烷）相互作用,合成了相应的配合物,然后分别将其掺入MMA中,进行聚合得到了固体样品。测量了不同第二配体样品及无第二配体样品的激发和发射光谱,对谱峰做了指认。发射谱中主要发射峰均为Sm^3＋的特征发射,有机配体的发光带很弱,说明从有机配体到稀土发光中心的能量传递非常有效。监测Sm^3＋离子644nm发射峰（^4G5/2→^6H9/2）测量了样品的激发光谱。结果显示,第二配体的加入改变了有机配体的能级结构,激发边出现明显的移动,同时紫外区的激发效率发生了变化,对发光产生了显著的影响。还测量了上述样品中Sm^3＋的^4G5/2能级的发光衰减曲线,拟合出该能级的跃迁寿命,针对不同第二配体的情况进行了比较分析。实验结果表明,第二配体的共轭性和化学键匹配对发光强度影响很大,在我们的结果中,第二配体为TPPO时发光效率最高。     

Cartan-Hartogs域的Kähler-Einstein度量

研究以不可约有界对称域Ω为底空间的一类Hartogs域Ω上的K(a)ler-Einstein度量,这种域称之为Cartan-Hartogs域,是华罗庚域的一种,其中K(a)ler-Einstein度量的生成函数满足一带有边界条件的复Monge-Ampère方程.一般地,域Ω是非齐性域,其上有一全纯自同构子群以及群不变轨道X∈[0,1],因此可以把复Monge-Ampère方程化为常微分方程,并且此方程在临界值μ0=μ时能够显式解出.临界值μ0对于研究其他不变度量如Bergman度量也是非常有意义的.文中还给出一个猜想,并且证明了该猜想对于两类两类例外域是成立的.     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)2O3-SiO2发射光谱的分析研究

EXAFS测定表明sol-gel方法制备的纳米非晶(Y,Eu)₂O₃-SiO₂发光材料中,发光中心Eu³⁺的局域环境和晶态X₂型Y₂SiO₅Eu中Eu³⁺离子的局域环境相似。以此结构为依据,用M. F. Reid的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数,并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图.     

纳米Y2—xSi2O7：Eux的发光特性及浓度猝灭研究

报道了用溶胶－凝胶法合成粒径约５０ｎｍ的系列掺杂浓度Ｙ２－ｘＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ纳米晶体及相应的常规尺度的粉末材料,通过测定它们的激光光谱和发射光谱研究了它们的发光牧场生,并由一系列不同掺杂浓度样品的发射谱强度变化曲线得到猝灭浓度的值。结果表明,低掺杂浓度时纳米晶体有就有较高的发光亮度;且与体材料相比,纳米晶体且晚高的发光猝浓度。