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光照下经H2O2处理的多孔硅的光致发光   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
光照下经H2O2处理的多孔硅其荧光强度随处理时间增加先增强后减弱,处理1min后,荧光强度达极大。未经H2O2处理的多孔硅在空气中激光照射下,其荧光退化很快,经H2O2处理的多孔硅在同样条件下,荧光退化明显变慢。红外吸收实验表明,H2O2处理后多孔硅与氧有关的振动大幅度增强,而各种Si—H键则明显减少。对比红外吸收与荧光强度的变化, 关键词:  相似文献   
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