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实验首先采用改进的Hummers法制备氧化石墨,然后以氧化石墨烯为前驱体,通过水热法将锡酸钴纳米颗粒均匀镶嵌在石墨烯薄膜基片上,最终获得Co2SnO4/Graphene镶嵌复合材料. 采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构和形貌进行表征,通过恒电流充放电(CC)、循环伏安法(CV)与交流阻抗法(EIS)测试了材料的电化学性能. 实验结果表明,石墨烯良好的分散性及较高的电子导电率,可以提高锡酸钴材料的电化学性能,材料首次可逆容量达到1415.2 mA·h/g,50次循环后仍能保持469.7 mA·h/g的放电比容量.
关键词:
2SnO4')" href="#">Co2SnO4
石墨烯
电化学性能
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