端基含108个己氧基偶氮苯介晶基元三代树状碳硅烷液晶研究

用发散法合成以四碳硅烷为核心,周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD)进行表征.D3为向列相液晶,与M3相同,三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定.D3的液晶态相行为是K79N136I132N,D3的熔点比M3的低19℃,D3的清亮点比M3的增加16℃,D3液晶态温区比M3宽35℃.     

稠环齐聚物结构的激光解吸电离飞行时间质谱表征

应用激光解吸电离飞行时间质谱对几种不同结构的吡嗪稠环齐聚物进行了表征.样品溶解在二甲基亚砜中,以正离子方式记录谱图,结果发现除了产生目标化合物的质子化的分子离子峰外,还产生了少量的碎片分子离子峰.结果表明激光解吸电离飞行时间质谱能有效地、快速准确地给出这类化合物的分子离子峰,为吡嗪类稠环齐聚物的研究提供了有效的表征方法.     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.     

平面双核酰亚胺酞菁铁的激光解吸电离飞行时间质谱分析

应用激光解吸电离飞行时间质谱法（LDI—TOF—MS）对平面双核酰亚胺酞菁铁相对分子量进行了测定．探讨了3种不同基质对其分析结果的影响,结果发现基质并不能完全解离样品,而不加任何基质的激光质谱得到了理想的结果．     

MALDI-TOF-MS法对重组人内皮抑素蛋白分子质量测定

肿瘤的生长依赖于血管的生成,新生血管不仅为肿瘤生长提供必需的营养物质,而且为肿瘤细胞扩散提供了重要的途径。1997年哈佛大学的O'Reilly等发现了一种内源性新血管生成抑制因子内皮抑素(Endoscatin),显示出特异抑制激活的血管内皮细胞增殖和肿瘤新血管生成的生物学活性,其抗肿瘤作用具有高效、低毒、无耐药性的优点。目前,内皮抑素的研究引起了国内外广泛的兴趣,在美国已进行以安全性为目的的I期临床实验,国内也有多家公司对内皮抑素进行了抗肿瘤研究并申报一类新药。内皮抑素有望成为医治肿瘤而又没有化疗和放疗的毒副作用的一种新的治疗方法,但是否能作为药物应用于临床,尚需对内皮抑素的结构特点及抑制肿瘤和内皮细胞的作用机制等方面进行许多深入的研究。     

基质辅助激光解吸电离-飞行时间质谱表征6氟双酚A芳香环状聚醚酮(砜)

应用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱,在不同阳离子剂的存在下,对6氟双酚A聚芳醚酮(砜)环状低聚物的结构进行了确认,研究了环状化合物对金属离子的选择性及激光质谱表征含氟环状低聚物的适宜条件.     

应用激光解吸质谱和十二烷基硫酸钠—聚丙烯酰胺凝胶电泳分析蛇毒？…

应用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ）和ＳＤＳ－聚丙烯酰胺凝胶电流对吉林省两地市的同种白眉蝮蛇蛇毒中具有抗栓塞药效的精氨酸酯酶进行了分析了分析和比较。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ法具有快速、准确度高、灵敏度高的优点,两种方法结合,互为补充,取得了令人满意的结果。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ完全可以直接用作蛇毒成分分离过程中重要的研究手段。     

聚芳醚酮环状低聚物的基质辅助激光解吸电离质谱表征

采用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)技术分别对2种合成的聚芳醚酮环状低聚物进行了分析研究 ,并讨论了低聚物中不同聚合度离子组分的分布规律。实验结果表明MALDI-TOF-MS是分析环状低聚物直观、准确、快速的分析工具。     

用MALDI-TOF-MS法快速测定天花粉蛋白分子量

采用ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ法快速测定了天花粉蛋白的分子量,并讨论和对比了三种不同基质对其影响,认为用基质芥子酸是最佳适宜条件。实验结果表明本方法优于其它传统的测定生物大分子分子量方法。     

一代树状碳硅烷液晶研究－端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的一代树状碳硅 烷（D1）。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、 偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征。D1为向列相与 M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D1相行为：K82N133I132N67K，D1熔点 比M5降低30－43℃，D1清亮点比M5增加9－11℃，D1介晶相区比M5加宽39－54℃， 观察到8条黑刷的树状物的高强向错（S＝＋2），D1清亮焓值略低于通常液晶n-i相 变清亮焓值，原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构。