Fe3O4(001)-B表面水煤气变换反应机理第一性原理研究

采用自旋极化的密度泛函理论方法系统地研究了Fe_3O_4(001)-B表面水煤气变换的反应机理,计算了整个反应历程。结果表明,对于Fe_3O_4(001)-B表面上的水煤气变换反应,氧化还原、联合和再生三种反应路径共存,但氧化还原和联合机理的有效能垒较低,因而更占优势。对于生成H_2的基元反应,其活性受表面H浓度和催化剂表面O缺陷浓度影响;较高的表面H浓度和O缺陷浓度均有利于H_2生成。这些结果有助于进一步认识铁氧催化剂上的水煤气变换反应机理。     

光盘阵列系统的一种性能优化方法

提出了一种用低性能驱动器组建高性能光盘阵列系统性能的优化方法。针对传统的低性能光盘驱动器(驱动器内部数据传输率及接口速率均较低),提出了一种新型的数据传输模式。采用此优化方法可以使光盘阵列系统的整体性能得到较大地提高。同时还可以提高系统整体的性价比。     

钕铁硼速凝薄片中α-Fe析出临界冷却速度的估算

采用FMI-I-600-R-C型真空感应熔炼速凝炉制备了不同厚度的钕铁硼速凝薄片,并用螺旋测微器从中分别选取厚度为0.2,0.3,0.4,0.5,0.6和0.7 mm的速凝薄片,采用扫描电子显微镜对各个薄片进行微观组织和微区成分分析,发现厚度为0.2~0.4 mm的速凝薄片中没有α-Fe析出,而厚度超过0.4 mm的速凝薄片靠近自由面处均存在α-Fe,表明冷却速度沿着厚度方向是逐渐降低的。当厚度超过0.4 mm时,靠近自由面处的冷却速度过低而不能完全抑制α-Fe的生成,以0.4 mm厚速凝薄片为研究对象,结合热传导理论和凝固理论,应用数学解析法计算了α-Fe在钕铁硼速凝薄片中析出的临界冷却速度。     

高速数据传输控制系统的设计

介绍了一种光盘数据高速传输控制系统。该系统相对计算机独立工作,可以方便灵活地组成各种数据传输控制系统,避免了计算机主机系统的介入,大大缩小了控制系统的复杂程度,避免了总线对连接设备个数的限制。使用16倍速DVD ROM,应用PIOMode4协议,在理论上该系统可以达到16 6Mbit/s的最高猝发传输速度。系统中央处理器采用单片机系统,通过内部编程,可以适应于不同的使用场合。输出端口使用数据缓冲器,以保证数据高速连续输出。     

Cu单原子修饰对Fe(111)表面CO吸附性能及电子性质调变的第一性原理研究

采用密度泛函理论方法研究了Cu单原子修饰对Fe(111)表面CO吸附性能和电子性质的调变作用,其中,Cu单原子修饰研究了吸附和取代两种方式。结果表明,CO在Cu修饰的Fe(111)面吸附能力都会变弱,一是Cu原子自身提供的位点对CO的吸附较弱;二是Cu会使其附近的Fe对CO的吸附变弱。分析电子性质表明,Cu作用于Fe表面后,会导致Cu附近Fe原子部分电子向Cu原子转移,进而削弱了Fe与吸附分子间电子交互作用而改变Fe原子的吸附能力。故Cu原子改性Fe表面可以很好地调变CO的吸附、解离及后续反应催化活性,这为进一步探究Cu改性Fe表面的合成气催化反应机理提供了基础信息。