基于渐进圆锥天线的ns前沿电磁脉冲电场传感器

为了对ns级上升沿的电磁脉冲电场进行测量,研制了一种基于D-dot渐进圆锥天线的电场传感器。设计采用单极子渐进圆锥天线作为电场传感器的接收天线,并通过建模仿真验证了该天线的性能;通过电光转换模块将天线感应的电信号转换为光强度信号并通过光纤传输;利用软件积分对传感器测得的电场微分信号进行处理;通过测试试验验证了传感器的性能。研究表明,所研制的电场传感器能够测量上升沿大于1.5ns的脉冲电场,具有体积小、线性度高的优点。     

块中心对称H-矩阵的几个定理

1符号与定义 为了行文方便,首先作如下记号约定:n为自然数,In表示n阶单位矩阵,Rn×n表示所有n×n阶实数矩阵做成的集合.对A=(aij)n×n∈Rn×n,若aij≤0对所有的i,j=1,2,…,n,i≠j成立,则称A为Z-矩阵.     

低维无机功能材料的氢化调控研究

低维无机功能材料电学行为的调控主要依赖于本征异质原子掺杂，但是该方法在性质调控的同时，由于异质原子的嵌入常导致原有晶体结构对称性发生改变，产生变形扭曲甚至破坏．目前，基于清晰结构调控无机材料功能性依然是极具挑战性的难题．氢作为一种小半径轻原子，对低维无机功能材料的修饰或嵌入为调控无极功能材料物性带来了新思路，特别是通过氢的嵌入可以在结构不发生大变化的前提下调制材料载流子浓度并提升导电率，这已逐渐成为低维无机材料电学行为调控的重要途径．本文概述了近年来发展的系列氢化调控方法，以及通过对电子结构调制实现对电学行为的调控，并基于此广泛应用于能源领域、电子器件及催化等方面．