高频强泵浦场激发的等离子体参量不稳定性的特性

本文论证了当泵浦波的强度足够强时,在相当普遍的条件下,对均匀等离子体,唯一可以发生的参量不稳定性是类似于弱场的振荡二束不稳定性(OTSI)。对均匀及弱不均匀等离子体,高频强泵浦场激发的参量不稳定性都是绝对不稳定性。同样的性质在磁化等离子体中也可以得到。 关键词：     

环形非圆截面等离子体自由界面的磁流体平衡方程解

在有导体壁的条件下,对于各种趋肤的及趋中心分布的等离子体纵向电流,用一种统一的迭代方法,计算了相应的自由界面的磁流体平衡方程解,并讨论了这种方法适用的范围。 关键词：     

电磁迴旋不稳定性的准线性理论

在有弱相对论性电子时,在电子迴旋频率Ω_e附近存在快x模的不稳定性。从这一事实出发,我们用准线性理论分析了具有粒子数倒转的分布函数引起的不稳定性最后达到饱和的物理机制。进行了一些近似的计算,求出了电磁迴旋不稳定性的饱和时间和饱和能量及垂直、平行分布函数随时间的演化过程。发现用此理论算出的饱和能级与观察到的AKR结果是一致的。 关键词：     

二元化合物内聚能的线性化缀加平面波能带方法的计算研究

采用线性化缀加平面波能带方法,研究了典型二元化合物NiAl,SiC,GaAs,MgS和NaCl的晶体总能和内聚能,着重考查了二元素Muffin-tin半径的选取对各晶体总能和内聚能的影响。计算结果表明,对NiAl合金,Muffin-tin半径的变动几乎不改变其晶体总能;组元原子的共价键半径可以作为共价键晶体如SiC和GaAs的Muffin-tin半径;但是,元素的离子半径不适合于作为具有较强离子键合的离子性晶体如MgS和NaCl的Muffin-tin半径,因为这时阳离子有较多的芯电子溢出Muffin-tin球。通过选取适当的Muffin-tin半径,对如上化合物计算得到的内聚能与实验结果符合。     

无导体壁时无穷远边界自由界面磁面方程求解的一个新方法

本文将文献[1]中求解有导体壁的自由界面磁面方程的迭代计算方法推广到无导体壁的无穷远区域中。为此,引进坐标变换x′=x/(1+x),这样既可以在等离子体所在区域保持足够的精度,又可以在真空区大大加大步长。然后,对等离子体电流存在的径向范围作出限制后,用文献[1]中同样的迭代序列,可以找到经过外侧径向限制器的等离子体平衡解。文中以一维模型为例,用这种方法得到数值解后,和严格的解析解作了比较,讨论了解的特点。这种方法,可以毫无困难地推广到二维的情况。 关键词：     

一个自由界面的磁面方程一维的模型解

近来文献[1]证明:对于准均匀的或趋肤的电流分布,自由界面的磁面方程,化为似线性椭圆型方程后,可以用一简单迭代法求出最大解,并且指出,这一方程或者只有平庸解,或者会有三个以上的解(包括平庸解)。但现有的计算方法,对寻找除最大解以外的其他解还不太有效。但是找出第三个解,并且研究这些解的性质,将是十分重要的。因为特别是对有快磁压缩的环形装置,如带状装置上,原则上不能排除等离子体会平衡在不同的位型上。这样就出现下面的问题:不同的平衡位型中,哪一个才是最稳定的?为此目的,在进行数值计算的同时,我们解析地研究了如下的一维模型。     

高β等离子体的离子-离子束不稳定性

在β_i《1的条件下,人们曾得到电磁效应可以稳定离子-离子束不稳定性的判据V_d/V_A<(1+β_e)^1/2。本文研究了等离子体的有限β_E、β₁效应对离子-离子束不稳定性的影响,在所研究的参数范围内,随着β_e的增加,增长率上升,并且流速比V_d/V_A所允许的不稳定区域变宽,而随着β_i的增加,依赖于流速比V_d/V_A的不同,增长率的变化也有所不同,但流速比V_d/V_A所允许的不稳定区域变窄。 关键词：     

弱相对论性非热平衡等离子体的电子迴旋共振加热

本文从弱相对论各向异性麦克斯韦分布的介电张量的普遍表达式出发,得到了在垂直入射情形下寻常模和异常模局域阻尼率的解析表达式,并讨论了分布函数的各向异性和损失锥型分布函数对局域阻尼率的影响。 关键词：     

磁化等离子体里高频模和低频模耦合的参量不稳定性

用“有质动力”的方法,对一个空间均匀的磁化等离子体,在大振幅泵浦波E₀(r,t)作用下,推导了非线性色散关系。从这个色散关系出发,统一处理了各种常见波的参量激发,如反常吸收与反常散射,并与别人用其他方法计算的结果作了比较。发现只要在有质动力适用的条件下,我们的色散关系可以重新得到他们的结果。此外,我们还计算了几种还未见发表过的参量激发。从我们的结果可以看出,对反常吸收,“偶极近似”的做法基本上可以给出正确的结果。对反常散射,等离子体磁化后,阈值会提高,增长率会下降。所以磁场对受激散射型的参量激发起稳定作用。 关键词：     

分子束外延设备的微机控制系统

分子束外延设备是发展分子束外延技术的大型仪器.它用于生长新型的薄膜材料,以研究新材料、新器件、新效应.国产分子束外延设备经过几年的努力,已达到较高水平,但是要提高其性能,特别是为生长超晶格材料,计算机的控制是不可缺少的.我们为国产的分子束外延设备研制了第一台微机控制系统. 微机控制系统解决了分子束外延设备最重要的两个部分的控制劫能:八个加热炉的炉温控制和五个加热炉快门的开、关控制.此处采用APPLE-II微机作为主控制机.系统框图如图1所示. 一、基本设计思想及技术指标1.温度的控制 对湿度的控制,实质上是对加热电源(恒…