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基于密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),对氧钝化条件下4H-SiC纳米团簇的电子结构和光学性质进行了研究。计算了不同直径的4H-SiC纳米球氧钝化后的能带结构、电子态密度和光学性质。团簇的尺度在0.4~0.9 nm之间,构建表面仅存在硅氧双键和表面仅存在碳氧双键的两种模型。研究表明硅氧双键和碳氧双键所引起的缺陷态位于原4H-SiC的价带和导带之间,并且缺陷态与价带顶的能量差随纳米团簇颗粒直径的增大而减小;缺陷态主要是由Si原子外层电子和氧原子外层电子轨道杂化引起的。同时,由于氧的存在,对碳化硅的结构产生一定的影响,这也是缺陷态形成的一个原因。另外,碳氧双键和硅氧双键钝化对4H-SiC纳米团簇的光学性质有着不同的影响。在表面仅存在C=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向同性的性质。在表面仅存在Si=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向异性的性质。 相似文献
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本文基于Anderson局域效应和有限时域差分(FDTD)计算方法,对具有一定无序性的多孔硅材料内光的横向局域进行了理论分析,考察了不同无序度、孔洞排列的不同方式对硅材料光学性质的影响。计算结果表明,多孔硅内光的行为和多孔硅的结构参数有很大关系。当结构参数合适时,光束可以呈现比较明显的横向局域效果。适当改变材料中孔道的排列方式,可以有效的调节光在材料中的传播方式与局域效果。设计了具有"边墙"效果的孔洞排列方式,不仅能够固定光斑的位置,而且还可实现光束的局域增强效果。 相似文献
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