退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响

非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。     

应注意加强“补形”意识的训练

在中考和数学竞赛申常常会遇到一些不规则的几何图形，叫人束手无策．其实这是命题人在图形上设置陷井．我们若能充分分挖掘题设中的隐含条件，对图形来一次“整容补形”常常会使原题露出庐山真面目来．例1如图1，在四边形ABCD中，AB=2，CD=1，∠A=60°，∠B=∠D=90°．求四边形ABCD的面积．（1996年广州市中考题）分析若连AC，则将∠A=60°“肢解”了．但延长AD、BC交于E，则原图补形成为一个完整的含30°（∠E）锐角的直角三角形，由此易知DE=，BE—2J了．例2如图2，已知一个大边形的六个内足都是120”，真连续四边的长依次是…