单原子作为保护基团实现石墨双炔纳米线的表面合成

由于在贵金属表面的双炔单元具有高反应活性,表面合成半导体性质的石墨双炔纳米线通常会受到副反应的严重影响,难以分立的纳米线的高质量制备.本文利用化学气相沉积1,4-bis(4-bromophenyl)-1,3-butadiyne分子到表面发生Ullmann偶联反应,可实现无支链的石墨双炔纳米线[-C≡C-Ph_2-C≡C-]_n (PYP)的高产率合成.进一步的单化学键分辨的非接触原子力显微镜表征揭示了单个金增原子与双炔键之间形成了π-ligand键,有效地充当了反应过程中双炔单元的保护基团,避免了偶联过程中的副反应,从而实现了分立的超长石墨双炔纳米线的合成.这项研究将启发对在表面反应中各类表面增原子所起保护作用的更深入研究.     

二维kagome晶格过渡金属酞菁框架的第一性原理研究

本文提出了一种新型的具有kagome晶格结构的二维过渡金属酞菁薄膜(记为kag-TMPc),并通过第一性原理计算的方法系统的研究了其电子和磁学性质. 研究结果表明,二维kag-MnPc薄膜具有稳定的铁磁基态,通过基于海森堡模型的蒙特卡洛模拟,得到其居里转变温度为125 K. 二维kag-CrPc薄膜是自旋$S$=2的基态磁序为RT3态的理想kagome反铁磁材料. 光吸收谱的研究证明,与过渡金属酞菁分子相比,这种自组装形成的二维kagome过渡金属酞菁框架具有更广阔的光吸收范围,特别是在可见光区域.     

对Cu(111)表面吸附的单个苉分子的分子轨道进行成像:一个实验与理论相结合的研究

结合扫描隧道显微学测量和密度泛函理论计算研究了直接吸附在Cu（111）表面的单个苉分子的电子结构性质.在低覆盖度下,苉分子表现出了单分散的吸附行为,利用dI/dV谱和图像可以辨别出吸附的单个苉分子在-1.2 V附近的最高占据态和1.6 V附近的最低未占据态.此外,还可以观测到苉分子未占据态的dI/dV信号对采谱位置具有很强的依赖性.第一性原理计算很好地模拟了这些实验结果,并且将它们归因于分子-衬底相互作用引起的苉分子不同分子轨道之间的混合态的能量和空间分布.该工作提供了吸附在金属衬底表面的苉分子的局域电子结构信息,将促进对单分子器件中电子输运性质对分子-金属电极耦合的依赖性的理解.     

二维kagome晶格过渡金属酞菁框架的第一性原理研究（英文）

本文提出了一种新型的具有kagome晶格结构的二维过渡金属酞菁薄膜(记为kag-TMPc),并通过第一性原理计算的方法系统的研究了其电子和磁学性质.研究结果表明,二维kag-MnPc薄膜具有稳定的铁磁基态,通过基于海森堡模型的蒙特卡洛模拟,得到其居里转变温度为125 K.二维kag-CrPc薄膜是自旋S=2的基态磁序为RT3态的理想kagome反铁磁材料.光吸收谱的研究证明,与过渡金属酞菁分子相比,这种自组装形成的二维kagome过渡金属酞菁框架具有更广阔的光吸收范围,特别是在可见光区域.