~4He超流密度分布研究

一种密度泛函理论用来研究当4He超流体流速u超过朗道临界流速vc时的不稳定性。发现有稳定的周期性密度波出现,其振幅正比于(u-vc)1/2,其波矢与旋子波矢一致。同时对纳米管道内氦流体进行了计算。     

分子筛修饰微流控芯片的研究和应用

基于微电子机械系统(Microelectreomechanical System,MEMS)技术研究发展起来的微全分析系统(Micro Total Analysis System,μTAS)是近10年迅速发展起来的一种崭新的微生化分析系统[1].现在也称其为实验室芯片(Lab-on-a-Chip)或微流控芯片(Microfluidic Chip)等.     

多轴差分吸收光谱技术测量对流层SO2垂直廓线及柱浓度

针对被动多轴差分吸收光谱技术(MAX-DOAS)反演痕量气体SO_2中吸收强度弱以及易受反演波段和大气气溶胶状态影响的问题,研究了基于地基MAX-DOAS的对流层SO_2垂直廓线及垂直柱浓度的反演方法。通过反演误差对比确定了SO_2的最佳反演波段(307～330 nm),并精确获取了差分斜柱浓度。鉴于大气中气溶胶状态是影响SO_2等痕量气体反演的重要因素,反演中采用两步反演方法:第一步通过测量O_4气体的差分斜柱浓度来反演气溶胶廓线;第二步将气溶胶廓线输入到辐射传输模型中,利用痕量气体浓度垂直反演算法获取对流层(0～4 km)中SO_2的垂直分布廓线和垂直柱浓度。将SO_2廓线在0～100 m的反演结果和地面点式仪器数据进行对比,结果发现两者的一致性较高。研究表明,基于MAX-DOAS反演对流层中SO_2的垂直分布及垂直柱浓度是一种有效的手段。