引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性

在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加, SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移; PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。     

适用于近红外荧光/核磁双模成像的GdF3:Nd3+,Yb3+@NaGdF4纳米材料

利用Nd3+与Yb3+之间的能量传递,设计了808 nm激发下具有近红外光致发光的GdF3:Nd3+,Yb3+@NaGdF4磁性纳米探针.通过合成参数调控,研究了反应时间和前驱物浓度对GdF3:Nd3+,Yb3+材料形貌的影响.GdF3:Nd3+,Yb3+在808 nm激发下在近红外(NIR)第一/第二窗口具有较宽的发...