外加电场对一维链式分子(SiO_2)_(10)电子结构和光谱的调制特性

一维二氧化硅纳米材料是当前发光材料的研究热点之一,作为高效发光材料的候选材料,需要了解其电子结构参数和光谱数据。选取一维链式结构的(SiO_2)_(10)分子为研究对象,在利用密度泛函B3LYP方法得到分子基态构型的基础上,研究外加电场强度对该分子电子结构特性的影响;采用TD-B3LYP方法系统分析了外加电场强度对分子激发特性的影响规律。结果表明:无外加电场时,得到的分子电子结构参数与已有文献值完全吻合;各单元环中Si-O键键长增加或减小与施加电场的方向密切相关;在激发特性方面,分子在240nm附近出现的吸收峰与已有实验结果相吻合,而得到的强度更强的180nm吸收峰是少有文献提及的;随外加电场强度增强,各激发态激发能减小,吸收谱线波长出现一定的红移;特定的外加电场会使一些禁戒的激发态变为可跃迁的激发态,这意味着可以利用特定的外加电场调控来实现分子吸收某些特殊波长的谱线。     

高速扫描电路研制过程中的一些主要问题的分析

本文对在高速扫描电路研制过程中遇到的一些重要问题进行了分析,叙述了延时一     

关于高速扫描电路研制中的几个主要问题

本文对变象管条纹相机的单次高速扫描电路研制过程中遇到的一些主要问题进行了分析。叙述了延时—滤波环节的作用。特别提出了在高速扫描电路中应用各种软磁铁氧体磁性材料制作电感!可以比较容易地得到基本没有振荡的斜坡电压,从而大大减化了调试程序,加快了研制周期。文中还介绍了使用这元件构成的主振荡形成回路、低通型延时—滤波环节和串联型滤波器,这些器件在变象管毫微秒扫描相机和赴西德参展的微微秒扫描相机以及其它相机中均得到了令入满意的结果。