首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
文章检索
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
检索词:
出版年份:
从
到
被引次数:
从
到
他引次数:
从
到
提示:输入*表示无穷大
全文获取类型
收费全文
1篇
免费
0篇
专业分类
物理学
1篇
出版年
2008年
1篇
排序方式:
出版年(降序)
出版年(升序)
被引次数(降序)
被引次数(升序)
更新时间(降序)
更新时间(升序)
杂志中文名(升序)
杂志中文名(降序)
杂志英文名(升序)
杂志英文名(降序)
作者中文名(升序)
作者中文名(降序)
作者英文名(升序)
作者英文名(降序)
相关性
共有1条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质
王海旭
冯彩玲
金锋
《发光学报》
2008,29(6)
用激光辐照辅助电化学刻蚀的方法加工硅锗薄膜样品,30min后,在样品表面形成了多孔状的结构,该结构在724nm处有很强的光致发光(PL)峰。将该多孔状结构的样品置于高温氧化炉中进行不同时间的退火氧化处理后,发现在不同的退火氧化条件下样品的PL光谱发生了明显的变化。通过分析,作者根据量子受限(QC)和量子限制-发光中心(QCLC)模型,建立了新的量子受限-晶体与氧化物界面态综合模型来解释样品PL发光的变化。
相似文献
1
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号