Ferromagnetism in Layered Metallic Fei/4TaS2 in the Presence of Conventional and Dirac Carriers

We present the microscopic origin of the ferromagnetism of Feo.25TaS2 and its finite-temperature magnetic properties.The band structures of Feo.25TaS2 are first obtained by the first-principles calculations and it is found that both conventional and Dirac carriers coexist in metallic Feo.25TaS2-Accordingly,considering the spin-orbit coupling of Fe 3d ion,we derive an effective Ruderman-Kittle-Kasuya-Yosida-type Hamiltonian between Fe spins in the presence of both the conventional parabolic-dispersion and the Dirac linear-dispersion carriers,which contains a Heisenberg-like,an Ising-like and an XY-like term.In addition,we obtain the ferromagnetic Curie temperature Tc by using the cluster self-consistent Held method.Our results could address not only the high ferromagnetic Curie temperature but also the large magnetic anisotropy in Fex TaS2.     

多轨道Hubbard模型的隶玻色子数值算法研究

通过综合模式搜索法、广义Lagrange乘子法、以及转轴法等多种数值方法, 建立了一套针对多轨道Hubbard模型隶玻色子解法的数值优化方法. 该数值方法能够在考虑晶场劈裂、轨道间跳跃以及真实能带结构基础上, 利用隶玻色子方法计算实际关联电子材料的性质. 首先利用该方法计算了两轨道体系的Mott金属-绝缘体转变性质, 得到了与目前已有工作一致的结果; 然后利用该方法讨论了Coulomb关联对三轨道体系Na_xCoO₂的影响. 结果表明: 在中间关联情况下由e_g^'轨道形成的六个小Fermi面消失, 原因是由于电子关联导致该轨道上的空穴数随U减少. 这些结果也证实了算法的正确性和有效性. 关键词： 多轨道Hubbard模型 隶玻色子 Mott转变 xCoO₂')" href="#">Na_xCoO₂     

双轨道Hubbard模型的动力学平均场理论研究

基于以Lanczos方法为杂质求解器的动力学平均场理论,研究了非局域轨道间跃迁对于双轨道强关联体系中轨道选择Mott相变的影响.计算了轨道间跃迁系数不同的双轨道Hubbard模型的准粒子权重和态密度,并构建了它们在相互作用强度U和轨道带宽比t₂/t₁影响下的相图.通过正则变换引入两个有效的退耦和轨道,在一定条件下轨道间跃迁会有利于轨道选择Mott相变的发生.还比较了Bethe晶格和正方晶格的相图,虽然基于两种不同晶格能带结构得到的轨道选择Mott相变的相变点存在一定的差异,但其中关于轨道选择Mott相变的基本物理图像具有一致性.并将方法拓展到半满的Ba₂CuO_4–δ材料的研究中,与根据密度泛函理论得到的能带对比,我们发现各向同性的轨道间跃迁对能带结构影响较大,进一步采用动量空间各向异性的非局域轨道间跃迁项,得到了材料的相图,在半满条件下Ba₂CuO_4–δ应为轨道选择Mott材料.     

外加载谐振腔的理论计算与分析

 通过建立外加载谐振腔的等效电路模型,给出了加载以后外加载谐振腔的频率、品质因数和间隙阻抗的解析计算公式,并使用电磁场模拟软件证明了计算结果的正确性。由计算和模拟结果显示,在使用谐振腔加载的方法降低品质因数的同时,还可以利用模式重叠进一步展宽频带。由等效电路模型分析了主腔和负载腔的品质因数、主腔和负载腔之间的频率差以及耦合口的大小对加载后谐振腔的品质因数和间隙阻抗的影响。     

双间隙耦合腔中自激振荡问题的分析和模拟

 建立了双间隙耦合腔中高次模式小信号电子电导计算模型,使用该模型和ISFIEL3D电磁场软件模拟的高次模式电场分布图分析了双间隙耦合腔中高次模式的自激性质。由3维粒子模拟软件对双间隙耦合腔自激模拟显示实际结构中存在高次模式3.17 GHz和3.99 GHz自激,验证了使用该方法分析双间隙耦合腔中高次模式自激性质的合理性。并通过对热测数据的分析说明实际结构中确实存在相应的模式自激并伴随吸收腔和耦合环发热现象。