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PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用   总被引:2,自引:1,他引:1  
祖继锋  余宽豪 《光学学报》1995,15(7):13-916
研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。  相似文献   
2.
祖继锋  余宽豪 《光学学报》1998,18(6):08-812
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮氧化硅(SiON)所形成的包括通道波导、条汉志、倒脊型波导等多种结构的特性,通过对测试结果进一步分析,总结出有关结论并提出一些改进方法。  相似文献   
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