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用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性。我们计算的带隙0.17 eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙。在 In 4d和S 3p轨道之间有相当强的杂化,构成了(InS2)4-阴离子。我们计算的反射率光谱,介电函数的实部和虚部,消光系数和折射率和实验结果取得了很好的一致。 相似文献
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