掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中²⁸Si⁺注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAsMESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。 关键词：     

强磁场、宽温区冲(4.2-300K)离子注入GaAs霍耳测磁探头

本文介绍用于强磁场、宽温区(4.2—300K)St~+离子注入高线性GaAs霍耳测磁探头。室温下,磁通密度B=0—1T和B=0—2.5T,磁线性度α分别≤±0.05％和≤±0.25％;4.2K,B=0一7T,磁线性度≤±0.5％;测磁的空间分辨率<0.7mm。     

掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入

本文研究了半绝缘砷化镓中硅离子的注入,在对衬底材料进行挑选和注意离子源工作物质纯度的基础上,进行了₂₈Si₊注入,用无包封法退火,然后对注入层作了电学性质、背散射和光致发光谱测定,结合选择离子注硅的UHF应用的低噪声GaAs双栅MESFET的结果,1GHz下NF0.9dB和Ga10dB,对实验结果进行了讨论。 关键词：