带深井位势双调和方程的解

本文研究下述双调和方程极小能量解的存在性:?~2u+[λV (x)-δ]u=|u|_(p-2)u, x∈R~N,(0.1)其中N≥5,λ 0. p是次临界或临界的Sobolev指标,即2 p≤2**,这里2**=2N/N-4为临界的Sobolev指标, V (x)是非负连续的深井位势,其零集V~(-1)(0):={x∈R~N:V (x)=0}的内部int V~(-1)(0)是R~N中非空的有界光滑区域.令μ0为定义在int V~(-1)(0)中齐次边界条件下?~2的第一特征值.对任意的0 δμ0,本文证明:当λ 0充分大时,(0.1)存在一个在V~(-1)(0)附近的极小能量解.     

Banach空间中非线性脉冲积分微分方程的正解

借助于锥理论，本文讨论Ｂａｎａｃｈ空间中非线性脉冲积分微分方程的解，给出一阶脉冲微分方程存在唯一正解的条件及混合型脉冲积分微分方程至少具有两解的条件。     

Ekeland变分原理的推广及其应用

本文给出一般形式的Ekeland变分原理,并讨论泛函强制性条件与一般形式的 (PS)’条件之间的关系.     

一类非线性算子方程的迭代求解(英)

利用锥理论和半序方法讨论一类非线性算子方程ｘ＝Ａｘ的迭代求解问题,得到解的存在唯一性定理,并给出其应用．     

Banach空间中非线性脉冲积分微分方程的正解(英)

借助于锥理论，本文讨论Banach空间中非线性脉冲积分微分方程的解．给出一阶脉冲微分方程存在唯一正解的条件及混合型脉冲积分微分方程至少具有两解的条件．     

Ni2O3掺杂对新固相源顶部籽晶熔渗生长法制备单畴GdBCO超导块材超导性能的影响

本文通过在新固相源中添加Ni₂O₃的方法, 采用顶部籽晶熔渗生长工艺(TSIG)制备出组分为(1-x) (Gd₂O₃+1.2BaCuO₂)+x Ni₂O₃、直径为20 mm的单畴GdBCO 超导块材(其中x = 0, 0.02, 0.06, 0.10, 0.14, 0.18, 0.30, 0.50 wt%), 并研究了Ni₂O₃的掺杂量x对样品的表面生长形貌、微观结构、临界温度T_c、磁悬浮力以及俘获磁通密度的影响. 研究结果表明, 当Ni₂O₃的掺杂量x在0–0.50 wt%的范围内时, 均可制备出单畴性良好的样品, 且Ni₂O₃的掺杂对样品中Gd211粒子的分布和粒径没有明显的影响. 在Ni₂O₃的掺杂量x从0增加到0.50 wt%的过程中, 样品的临界温度T_c呈现下降的趋势, 从x=0时的92.5 K下降到x=0.50 wt%时的86.5 K, 这是由于Ni^{3 +}替代GdBCO晶体中Cu^{2 +}所致; 样品磁悬浮力和俘获磁通密度均呈现先增大后减小的变化规律, x=0.14 wt%时, 磁悬浮力达到最大值34.2 N, x=0.10 wt%时, 俘获磁通密度达到最大值0.354 T. 样品磁悬浮力和俘获磁通密度的变化规律与Ni₂O₃的掺杂量x有密切关系, 只有当掺杂量x合适时, Ni³⁺对Cu^{2 +}的替代既不会造成T_c的明显下降, 但又能产生适量的Ni^{3 +}/Cu²⁺ 晶格畸变, 从而达到提高样品磁通钉扎能力和超导性能的效果.