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1.
为减小物资生产与配送不协调造成的成本及生产资源浪费,建立了考虑推动式生产调度的物资配送优化模型,并针对标准模拟退火算法受随机因素影响易陷入局部最优的缺点,设计带有回火与缓冷操作的改进模拟退火算法对模型求解,确定了优化的车辆配送路线以及物资生产计划。对比实验结果表明:相对于单纯的物资配送优化模型,考虑推动式生产调度的配送优化模型,能够有效减小物资滞留时间以及配送延误成本;相较于标准模拟退火算法,改进算法搜索到了更优解,且计算结果的标准差减小了93.42%,稳定性更好;同时,改进模拟退火算法具有较低的偏差率,在中小规模算例中求解质量较高,平均偏差率在0.5%以内。  相似文献   
2.
铌酸锂晶体集电光、声光和非线性光学等物理特性于一身,且透光范围宽,作为一种重要的光学材料被广泛应用于通信、传感等领域。通过离子注入与直接键合的方式制备出的铌酸锂单晶薄膜材料,保留了铌酸锂体材料的优秀物理特性,并且具有高折射率对比度的优点,使光子器件在集成度和性能上都得到了很大程度的提升。本文介绍了铌酸锂薄膜的制备及应用,展示了直径6英寸(1英寸=2.54 cm)的铌酸锂单晶薄膜。将硅单晶薄膜覆盖在铌酸锂单晶薄膜上面,形成一种新型的复合薄膜材料,结合了铌酸锂出色的光学性能和硅出色的电学性能,本文报道了直径3英寸的复合薄膜材料,X射线证明硅薄膜是单晶结构,这种复合薄膜在未来的集成光电芯片中具有应用潜力。  相似文献   
3.
GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
尽管GaN基蓝绿光发光二极管(LED)已进入大规模商品化阶段,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量,获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0—120?mA的注入电流下,发光波长变化小于1nm.在20mA的正向电流下,其光谱半高全宽只有18nm,且随注入电流变化较小. 关键词: GaN 发光二极管 波长稳定性  相似文献   
4.
The blue band (BB) in low temperature photoluminescence of Mg-doped GaN films with different Mg concentrations is investigated.The BB peak of as-grown samples with higher Mg concentration centres at lower energy.A shift of the BB peak energy is observed after annealing in N2 at different temperatures,meanwhile,the difference between the BB peak energy is observed after annealing in N2 at different temperatures.Meanwhile,the difference between the BB peak energies diminishes for raised annealing temperature,and the BB peaks for different samples converge to 2.92eV after annealing at 850℃.These experimental results can be accounted for by a model based on compensation effect.The shift of BB lines provides a useful criterion for the optimum annealing temperature of the Mg-doped GaN material,and the value is taken to be 850℃ in our case.  相似文献   
5.
结合智能网联无人车实时信息共享与路径选择的特点,研究其配送路径优化问题。通过引进关键点更新策略,制定路径预规划阶段和路径实时调整阶段无人车路径选择策略,提出智能网联环境下基于实时交通信息的车辆路径问题两阶段模型。其中,路径预规划阶段模型确定初始路径与每辆车服务的客户点,路径实时调整阶段模型对每辆车的路径实时调整。对于该优化模型设计遗传算法进行求解,并通过算例验证了模型与算法的可行性。研究结果表明,本文构建的无人车配送优化模型,有效的结合了无人车实时通信与路径选择的特点,节省了无人车配送时间。研究对于无人车在第三方物流配送领域的推广应用具有一定的探索意义。  相似文献   
6.
研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构 发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区 内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1 -xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位. 关键词: xGa1-xN/GaN多量子阱')" href="#">InxGa1-xN/GaN多量子阱 电致荧光谱 内建电场  相似文献   
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