低能He~(2+)入射He原子转移电离实验中出射电子成像研究

利用反应显微谱仪对70keV He2+-He转移电离过程中的出射电子进行了成像,研究了出射电子的空间速度分布特征.结果表明:电子主要集中在散射平面内;在散射平面内,电子速度分布介于零与入射离子速度Vp之间(即前向出射)且在散射离子和靶核核间轴处有一极小值,呈现出典型的双峰结构.出射电子的上述分布特征可由出射电子波函数σ振幅和π振幅的干涉进行定性解释,σ振幅和π振幅对出射电子波函数的贡献与碰撞参数相关.在小碰撞参数下,π振幅的贡献更加明显;而在大碰撞参数下,σ振幅的贡献更加显著.     

近红外荧光染料的结构、性质及生物荧光成像应用

近红外荧光生物成像技术由于具有深的组织穿透性、低背景荧光干扰、最小生物样本光损伤等特点引起人们越来越多的关注。开发高荧光效率、低毒性的近红外荧光染料是近红外荧光成像技术发展的关键所在。本文综述了五类主要的有机近红外荧光染料(菁类、BODIPY类、罗丹明类、方酸类、卟啉类)的研究进展,重点分析其结构与光学性质等构效关系,为近红外荧光染料的设计和制备提供指导。另外,总结了有机近红外荧光材料功能化修饰的主要方法以改善生物相容性、靶向性能等,最后对近红外荧光染料存在的主要问题以及未来的热点方向进行了分析和展望。     

贵金属纳米粒子修饰碳纳米管的研究

碳纳米管具有独特的一维管状结构和优异的电、光、热和力学性能,是药物和纳米催化剂的理想载体。将具有独特光、电、磁和催化性能的贵金属纳米粒子负载在碳纳米管的表面,形成的碳纳米管/贵金属纳米粒子复合物不仅兼有两种纳米材料的优异性能,还可能产生新的特性,在催化、储能、燃料电池、电子器件和传感器等领域均有广阔的应用前景。本文主要从共价修饰和非共价修饰两种策略出发,综述了贵金属纳米粒子修饰碳纳米管的制备方法和研究进展。其中用天然高分子包覆的碳纳米管表面具有很好的贵金属配位结合能力,得到的纳米复合物具有良好的水分散性和生物相容性,在载药、生物传感器和肿瘤诊断治疗等生物领域具有明显的优势。     

Longitudinal Schottky spectra of a bunched Ne10+ ion beam at the CSRe

The longitudinal Schottky spectra of a radio-frequency (RF) bunched and electron cooled ²²Ne¹⁰⁺ ion beam at 70 MeV/u have been studied by a newly installed resonant Schottky pick-up at the experimental cooler storage ring (CSRe), at IMP. For an RF-bunched ion beam, a longitudinal momentum spread of Δp/p=1.6×10^-5 has been reached with less than 10⁷ stored ions. The reduction of momentum spread compared with a coasting ion beam was observed from Schottky noise signal of the bunched ion beam. In order to prepare the future laser cooling experiment at the CSRe, the RF-bunching power was modulated at 25^th, 50^th and 75^th harmonic of the revolution frequency, effective bunching amplitudes were extracted from the Schottky spectrum analysis. Applications of Schottky noise for measuring beam lifetime with ultra-low intensity of ion beams are presented, and it is relevant to upcoming experiments on laser cooling of relativistic heavy ion beams and nuclear physics at the CSRe.     

用于辐射复合与双电子复合实验的低能离子闪烁探测器

为了在CSRm的电子冷却器上进行辐射复合以及双电子复合实验, 需要探测能量小于4 MeV/u的离子, 因此设计了新的置于超高真空环境的CsI(Tl)闪烁探测器, 探测器采用的光电倍增管为R7525(Hamamatsu）。 介绍了新闪烁探测器的结构, 并对其进行了性能测试。 测试结果表明, 该探测器对高、 低能离子均有良好的响应, 探测器的信号十分明显。 探测器的最高计数率可以达到106 ions/s, 并且探测器附近的真空度可达10-10 Pa量级, 能够满足辐射复合与双电子复合实验以及储存环对真空的要求, 为今后在CSRm上进行复合实验打下了良好的基础。 A new CsI(Tl) scintillation detector readout with R7525 PMT(Hamamatsu）is designed to detect low energy (<4 MeV/u) ions in radiative recombination and dielectronic recombination experiments at the main cooler storage ring in Lanzhou. The structure of the scintillator detector is described in this paper. The detector is tested with α source and ion beams, respectively. The signals from background, 200 MeV/u C6+ and alpha radioactive source are recorded and analyzed. The results show that the detector has good response to high and low energy ions. The maximum counting rate of the detector can reach 106 ions/s and the vacuum level near the detector can reach 10-10 Pa, both are good for recombination experiments. The installation of the new detector to CSRm is of great help for future radiative recombination and dielectronic recombination experiments.     

超顺磁性Fe3O4纳米粒子在磁共振造影中的应用

超顺磁性Fe₃O₄纳米粒子由于其廉价、低毒及超顺磁等特性,已成为重要的一类磁共振造影剂.本文综述了超顺磁性Fe₃O₄纳米粒子的可控制备方法,归纳总结影响粒径、结晶度和磁性能的主要因素和影响规律;为进一步提高磁性能并实现多功能,总结了Fe₃O₄纳米粒子进一步组装和表面改性的方法和机理;系统讨论了Fe₃O₄纳米粒子的形貌、尺寸和表面性能等对磁性能和生物相容性的影响规律;并指出了Fe₃O₄纳米粒子在磁共振造影领域潜在的发展方向和研究热点.     

取代基结构对聚[(3-烷基)噻吩-2,5]-取代苯甲烯衍生物三阶非线性光学性能的影响

采用3-烷基噻吩与对硝基苯甲醛和对二甲氨基苯甲醛的聚合反应得到了5种聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯衍生物:聚(3-丁基)噻吩对硝基苯甲烯(PBTNBQ)、聚(3-己基)噻吩对硝基苯甲烯(PHTNBQ)、聚(3-丁基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(PBTDMABQ)、聚(3-己基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(PHTDMABQ)和聚(3-辛基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(POTDMABQ).计算其光学禁带宽度分别为PBTNBQ(1.82eV),PHTNBQ(1.85eV),PBTDMABQ(1.71eV),PHTDMABQ(1.78eV)和POTDMABQ(1.67eV).利用简并四波混频技术测量了5种聚合物薄膜的三阶非线性极化率,分别为1.74×10^-8,1.82×10^-8,5.62×10^-9,8.64×10^-9和1.22×10^-8esu,均具有较大的三阶非线性光学性能.针对取代基结构对聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯衍生物的三阶非线性光学性能的影响从分子内极化程度和主链电子的离域程度两个方面进行了讨论.     

纳米金属-偶氮染料共掺杂复合膜的制备与吸收蓝移现象

为了达到高密度存储, 关键而有效的方法是获得更短波长的光存储材料. 报道了具有纳米金属-偶氮染料包覆共掺杂结构复合材料的制备及光吸收蓝移现象. 实验发现, 在这种独特结构的复合膜中, 具有存储功能的偶氮染料甲基橙的最大吸收波长比其单独存在于复合膜中蓝移约23 nm, 复合膜的热稳定性提高. 用TEM, SPM, UV-vis, TGA对样品的物理特性进行了表征. 描述了包覆结构的模型, 分析了波长蓝移的机理. 研究结果表明, 具有这种结构的甲基橙有望成为与蓝紫光半导体激光器(GaN)匹配的新一代光存储材料.