炭纤维增强环氧树脂复合材料/N80钢摩擦学性能研究

利用MG-200型摩擦磨损试验机研究了炭纤维增强环氧树脂复合材料/N80钢的摩擦学性能,考察了介质温度对摩擦学性能的影响;用扫描电子显微镜分析了磨损表面形貌.结果表明:在干摩擦条件下,炭纤维增强环氧树脂复合材料与N80钢对摩时的摩擦系数较低,炭纤维增强环氧树脂复合材料的磨损主要表现为树脂基体脱落碳化和炭纤维的折断剥落,偶件钢环则呈现明显的磨粒磨损特征;在油井产出液润滑下炭纤维增强环氧树脂复合材料的磨损率较低,摩擦系数和磨损率随着润滑介质温度的升高而增大,偶件钢环则呈现明显的磨粒磨损和腐蚀磨损特征.     

基于金属纳米材料的癌症光热切除疗法

在癌症治疗中,传统的手术疗法、放射疗法和化学疗法会伤害到体内正常的组织以及带来一些其他的副作用,因此新的治疗手段,如在近红外激光中利用感光增强布光热切除疗法（PTA）已经开始被研究应用于癌症治疗.在当前新兴的纳米科学领域中,有许多相关的研究成果被认为可以作为新的纳米技术手段直接应用于癌症的检测和治疗中.光热切除疗法（PTA）的基本原理是在激光照射条件下,利用光热转换产生的高热量来破坏消除癌细胞,其中,在癌细胞位点上强的光照吸收以及高的光热转换效率是光热切除疗法（PTA）能否成功实施的关键.在贵金属纳米材料中,如金纳米颗粒和银纳米颗粒,由于他们对光具有很强的表面等离子共振吸收效应,因而他们可以在光热切除疗法（PTA）应用中有效地增强光热转换效率,而且关于金属纳米材料的结构优化以及其相关的光热转换性质的研究目前也已经有了显著的成果.在光热切除疗法中,理想的纳米金属材料应该具有下列一些特征：具有强的以及可调的表面等离子共振吸收、容易传输、毒性低以及容易与目标癌细胞结合.在这篇综合评述文章中,我们将主要讲述包括金纳米颗粒、纳米棒、纳米壳结构、纳米笼状结构以及纳米空心球结构等不同结构的金纳米材料在光热切除疗法（PTA）应用中的研究.在这些不同结构的纳米材料中,金纳米空心球由于具有较小的尺寸（30～50nm）和球状结构,以及很强的、并且半峰宽较窄的可调节的表面等离子共振效应,因此在光热切除疗法（PTA）中表现出最佳的综合性质.     

高含水原油对油管和抽油杆摩擦磨损性能的影响研究

在实验室考察了油井产出液含水量对抽油杆和油管摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察了抽油杆和油管试样磨损表面形貌.结果表明:当油井产出液含水量处于70%～85%之间时,抽油杆和油管摩擦副的摩擦系数和磨损率随含水量增加呈增大趋势;当油井产出液含水量小于70%或大于85%时,摩擦系数和磨损率变化较小;油井产出液含水量对抽油杆和油管试样磨损表面形貌亦具有明显影响,当含水量较低(55%)时,抽油杆和油管磨损表面较光滑,存在少量犁沟;而当含水量较高(95%)时,磨损表面出现宽而深的犁沟,呈现严重粘着和擦伤迹象.     

氮掺杂TiO_2纳米线阵列优越的可见光光电性能(英文)

成功制备了氮掺杂锐钛矿TiO2纳米线,并研究了它的光电化学性质.结果表明,与商用P25 TiO2纳米粒子和未掺杂TiO2纳米线相比,氮掺杂TiO2纳米线作为光阳极明显地提高了光电转换效率(IPCE%),在可见光区有明显光吸收;在100 mW/cm2可见光光照下,氮掺杂TiO2纳米线具有最大的光电流密度和能量转换效率.例如,当电压为0.09 V(vs.Ag/AgC l)时最大能量转换效率为0.52%,均高于未掺杂TiO2纳米线和商用P25 TiO2纳米粒子的,充分表现出它优越的光响应和光电化学性能,在光电化学池、太阳能制氢等方面具有广泛的应用前景.     

抽油杆和油管材料在油田污水介质中的摩擦磨损性能研究

以油田污水作为润滑介质，利用MG-200型高速高温摩擦磨损试验机考察了45“钢抽油杆同表面喷焊不同厚度耐磨涂层的J55油管配副时的摩擦磨损性能，采用扫描电子显微镜观察了抽油杆试样磨损表面形貌．结果表明，在油管试样表面引入适当厚度的喷焊耐磨涂层可以显著提高摩擦副的耐磨性能，并在一定程度上降低摩擦系数，从而有利于减小抽油杆同油管之间的摩擦力，提高抽油杆和油管的使用寿命；45“钢抽油杆试样同J55油管试样配副时主要发生粘着磨损，而同表面涂覆耐磨涂层的J55油管试样配副时粘着磨损明显减轻；J55油管试样在常温和60℃下的磨损率相近，而45“钢抽油杆试样在60℃下的磨损率稍大，这可能是由于60℃下粘着磨损有所加剧并发生轻微腐蚀磨损所致．当耐磨涂层过厚时，其减摩抗磨作用显著减弱，故应当适当控制油管表面耐磨涂层的厚度，以充分发挥其减摩抗磨作用。     

Improved high-frequency equivalent circuit model based on distributed effects for SiGe HBTs with CBE layout

In this paper, we present an improved high-frequency equivalent circuit for SiGe heterojunction bipolar transistors(HBTs) with a CBE layout, where we consider the distributed effects along the base region. The actual device structure is divided into three parts: a link base region under a spacer oxide, an intrinsic transistor region under the emitter window,and an extrinsic base region. Each region is considered as a two-port network, and is composed of a distributed resistance and capacitance. We solve the admittance parameters by solving the transmission-line equation. Then, we obtain the smallsignal equivalent circuit depending on the reasonable approximations. Unlike previous compact models, in our proposed model, we introduce an additional internal base node, and the intrinsic base resistance is shifted into this internal base node,which can theoretically explain the anomalous change in the intrinsic bias-dependent collector resistance in the conventional compact model.