不同退火条件对PEALD制备的Ga2O3薄膜特性的影响

利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga₂O₃)薄膜,研究了退火气氛(v(N₂)∶v(O₂)=1∶1(体积比)、空气和N₂)及退火时间对Ga₂O₃薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N₂比例增加有利于Ga₂O₃重结晶。在N₂气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga₂O₃。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在 400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N₂气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga₂O₃更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga₂O₃重结晶。     

Negative photoconductivity in low-dimensional materials

In recent years,low-dimensional materials have received extensive attention in the field of electronics and optoelectronics.Among them,photoelectric devices based on photoconductive effect in low-dimensional materials have a broad development space.In contrast to positive photoconductivity,negative photoconductivity(NPC)refers to a phenomenon that the conductivity decreases under illumination.It has novel application prospects in the field of optoelectronics,memory,and gas detection,etc.In this paper,we review reports about the NPC effect in low-dimensional materials and systematically summarize the mechanisms to form the NPC effect in existing low-dimensional materials.     

宽光谱膜厚监控系统中光谱实时测量技术研究

 在宽光谱膜厚监控系统中,利用光栅光谱仪分光,线阵CCD接收,完成光谱的一次性快速扫描来控制膜层厚度,达到实时监控的要求。而系统光谱扫描的准确性,直接影响膜厚实时监控的有效性。为了得到准确的光谱信息,首先确定CCD像素和光波波长的对应关系,基于特征谱线的离散关系,采用最小二乘拟合法建立了光谱标定函数,经实验,标定波长均方根误差为0.037 nm;对于CCD实时输出的光谱监控信号,利用小波阈值优化算法抑制信号中的随机噪声,保留了光谱信号的细节成分,峰值误差的最大值为1.0%,峰位误差的最大值为0.3%,满足了监控中光谱分辨率的要求。     

基于空间光调制器的波面重建优化方法研究

针对不同非球面面形的实时检测需求,研究了基于空间光调制器的标准波面重建技术.基于空间光调制器波面重建的原理设计了干涉测量系统,依据空间光调制器的自身特点选取修正离轴计算全息编码方式实现对标准球波面的编码.针对实验中空间光调制器作为全息再现介质引起重建波面质量下降问题,提出了错位叠加优化方案,并将这一过程进行了模拟实验....     

现代仪器分析技术在纺织品及皮革分析中的应用

现代分析技术以仪器分析为主,大量先进的现代仪器分析技术已经广泛地应用于纺织品及皮革分析。介绍了气相色谱（GC）、液相色谱（LC）、色谱质谱联用（GC-MS、LC-MS）、原子吸收（AAS）、电感耦合等离子发射光谱（ICP-OES）等现代仪器分析技术在纺织品及皮革分析中的研究进展与应用。     

金催化的硅纳米线的可控制备及光学特性研究

硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧化铝薄膜为模版复制出具有有序纳米结构的金膜,在金的催化辅助下对单晶硅进行湿法刻蚀,得到尺寸、形状、分布可控的硅纳米线阵列,并对其光学特性进行了研究。研究结果表明,金代替银作为催化剂,可以有效地抑制二次刻蚀,金的化学性质相对于银更加稳定,克服了银膜在较高的温度或较长刻蚀时间下产生的结构性破坏,得到形貌规整、尺寸可控的硅纳米线阵列。对该阵列在400 nm~1 200 nm波段的反射率、透过率进行了测试,并对比分析了金模板催化与传统方法机理的异同。测试结果表明,相较于传统金属辅助化学刻蚀法,文中提出的金模板催化法制备的硅纳米线阵列尺寸及分布更加均匀可控,在宽光谱范围内的抗反射性得到了显著提高。     

一种面向无线安全的双核SOC平台

提出了一种适用于无线网络安全应用的片上系统(SOC)平台.该平台采用主控CPU加专用安全处理器的双核架构,可以灵活支持多种无线网络安全协议.所用到的安全处理器集成了多个硬件加速器,能够对多种常用的密码学算法提供硬件加速.相比于传统的CPU加协处理器的架构,该架构能够提供更高的系统效率,消耗更少CPU资源.此系统在0.18μm CMOS工艺下流片成功,并通过更改其固件,完成了多种功能的测试.该SOC平台具有高性能,低成本,多功能的特点,可广泛应用于各种手持设备.     

具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究

采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-Ga N层表面上先沉积2 nm的Al₂O₃薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al₂O₃阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降低了一个数量级,开关比提高了约3倍.由于栅极泄露电流的减小,关态击穿电压从410 V提高到780 V.针对栅极反向泄漏减小的现象,进行了变温IG-VG测试,验证了栅极反向泄漏电流的主导机制是二维变程跳跃(Two-dimensional variable range hopping,2D-VRH)模型.分析了减小栅极反向电流的原因是由于Al₂O₃阻挡层改变了HR-Ga N的表面态,使陷阱能级的活化能升高.此外,器件动态特性也表现出更稳定的趋势,这是Al₂O₃薄膜阻挡过多的H等离子体的注入,使AlGaN势垒和沟道陷阱态数量减少,电流崩塌效应减弱.     

宽带膜厚实时监控过程中膜层折射率的确定方法

为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率，介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法：一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率；另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明：在线反算适合单点监控，所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此，采用最小二乘法拟合，即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息，所得结果误差很小，一般都在2％～5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。     

不同pH下人血清白蛋白热变性及结构可逆性研究

本文通过用差示扫描量热法(DSC)、动态光散射(DLS)和圆二色谱(CD)检测不同p H下人血清白蛋白(HSA)的结构,并观察其随p H变化的可逆性,以探讨不同p H对HSA结构的影响及HSA结构在p H变化下的可逆性。结果表明,p H7.0条件下HSA的热稳定性最好,热变性温度(Tm)为68.17±0.06℃,不同p H条件下HSA三级结构均发生了一定程度的改变,酸性和碱性条件下的HSA调回p H7.0后变性温度接近于p H7.0条件下的Tm值。不同p H条件下的粒径相对于p H7.0条件下增大,调回p H7.0后减小。CD实验表明了p H对HSA二级结构的影响。HSA结构在不同p H下调回中性条件时会重新折叠,但不能恢复中性条件下的结构状态。