有机张力半导体及其光电特性

分子张力作为空间设计的重要组成部分正成为调控有机半导体的重要手段。由于分子内产生的拉伸张力、扭曲/弯曲张力以及空间张力而导致p轨道排布重组和构型构象结构发生变化,最近各种几何与拓扑结构的高张力有机半导体材料相继被报道,这使得高张力有机半导体材料成为有机电子领域研究的焦点。为了进一步梳理分子张力在有机半导体材料中扮演的角色与价值,该综述从分子张力的类型、实验与理论量化以及可视化出发,总结了高张力共轭芳烃的分子设计策略、与其光电性能分子张力之间的关系,以及这类新兴材料在光电领域的应用。最后,对高张力共轭芳烃的研究前景进行了展望,阐述了该类材料所面临的机遇与挑战。     

基于Parity-Time对称结构极点效应构建光学三极管模型

为了构建光学三极管模型,设计了一个基于半导体磁性材料InSb的PT(parity-time)对称耦合微腔的结构模型。通过结构参数优化,产生了PT对称结构磁场强耦合的极点效应。在极点频率附近,通过改变输入电流信号改变施加在磁性材料上的磁感应强度,实现极点状态下信号的放大输出。这种放大可以是同相,也可以是反相,该设计实现了特殊光学三极管模型。     

Multi-Type Solitons in Spin-Orbit Coupled Spin-1 Bose–Einstein Condensates

Recently, research of solitons in Bose–Einstein condensates has become a popular topic. Here, we mainly study exact analytical solutions of Gross–Pitaevskii equations describing spin-orbit coupled spin-1 Bose–Einstein condensates. To begin with, we show the analytical relation between different types of one-dimensional spin-orbit coupling and Zeeman effect. In addition, we find a transformation that can simplify the three-component Gross–Pitaevskii equations with spin-orbit coupling into the non...     

基于MEA的CO_2相变化吸收剂的开发

化学吸收法是碳捕集技术中最为成熟的技术之一,单乙醇胺(MEA)是最常用的化学吸收剂.然而由于MEA的解吸能耗较高,造成CO_2捕集成本居高不下.本文提出了一种利用盐析效应开发新型CO_2相变化吸收剂的方法,并开发了吸收剂组成为"MEA+叔丁醇+水"的新型CO_2相变化吸收剂.实验考察了不同配比下吸收剂的分相情况、循环负载量以及吸收剂的物理性质,并用气相容积法测定了40℃、0～0.5 MPa下,CO_2在相变化吸收剂中的溶解度.研究表明,MEA/叔丁醇相变化吸收剂的循环负载量最高为2.84 mol CO_2/kg,相比于30%MEA水溶液提高了40%,进入解吸塔的吸收剂体积降低了65%,有望大幅降低CO_2捕集能耗.     

考虑塑性变形发展程度系数的RC梁开裂弯矩改进计算公式

针对RC梁开裂荷载计算方法尚未统一的现状，首先，结合18根RC梁试验数据对比了已有的6种RC梁开裂弯矩计算公式，发现开裂弯矩理论计算值与试验值的偏差大小和混凝土强度有关；然后，通过提出塑性变形发展程度系数k，推导新的RC梁开裂弯矩计算公式，并进一步基于k值和塑性影响系数计算值γ_k进行改进；最后，选取12根RC试验梁验证改进公式的准确性，证明改进公式的计算值与试验值吻合更好且偏于安全。     

鲁棒稀疏重构问题的凝聚同伦算法

鲁棒稀疏重构问题是信号处理领域的重要问题,该问题的数学本质是一个NP难的数学优化问题.同伦算法是一类典型的路径跟踪算法,该算法是解非线性问题的一类成熟算法,具有全局收敛性,且易于并行实现.本文考虑同伦算法在鲁棒稀疏重构问题中的数值求解.基于l_∞范数及罚函数策略,我们首先将原始的基于l_0范数的最优化模型,转化为含参数的无约束极大极小值问题,进而构造凝聚函数光滑化模型中的极大值函数,并构造凝聚同伦算法数值求解.数值仿真实验验证了新方法的有效性,为大规模鲁棒重构问题的并行化数值求解奠定基础.     

基于光学Parity-Time对称微腔结构的大范围电场传感器

为解决传统电场传感器测量范围受限的技术难题,设计了一种基于光学Parity-Time(PT)对称掺杂电光介质的微腔结构,提出新的电场传感机制.利用传输矩阵方法计算结构的传输谱,发现独特的放大的缺陷模式.缺陷模式的峰值和波长位置均随外电场变化,由此可以利用缺陷模峰值变化和波长位置变化两种机制测量同一电场.测量范围仅受电光介质击穿电场的限制,可以为0—0.06 V/nm,几乎涵盖了可能的电场环境.对峰值变化传感机制,灵敏度范围38.042—47.558 nm/V;对波长变化传感机制,灵敏度范围18.357—18.642 nm2/V,在测量范围内平均分辨率为0.00925 V/nm.