环形浅池内硅熔体中的热流体波

为了了解工业Czochralski炉内硅熔体表面轮型的基本特征,对环形浅池内硅熔体的热毛细-浮力对流进行了三维数值模拟,硅熔池内径为15 mm,外径为50 mm,深度为3 mm,熔池外壁被加热,内壁被冷却,底部固壁和顶部自由表面均绝热或者允许一个垂直方向的传热。模拟结果表明,当径向温差较小时,熔池内会产生稳定的单胞热毛细-浮力流动,随着温差的增大,流动将转变为三维振荡流动,在熔体自由表面会出现沿周向运动的轮型,小的垂直方向的热流密度(3W/cm2)对这种振荡流动没有大的影响。同时,讨论了流动和温度波动的特征,并确定了振荡流动的临界条件。     

勾形磁场对硅单晶CZ生长过程的影响

利用有限元法对勾形磁场环境下硅单晶Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟,磁场强度范围为(0～2.0)T.结果表明:勾形磁场可有效抑制熔体内的流动;随着磁场强度增加,熔体内对流逐渐减弱,加热器功率增大,结晶界面温度梯度在磁场强度为0.05T时略有降低,之后增加;结晶界面形状在磁场强度为0.05T和0.1T时向熔体侧弯曲,之后随磁场的增加,变得平坦;同时,熔体内的传质机制逐渐转为以扩散为主;结晶界面平均氧浓度随磁场强度的增加而逐渐降低,当磁场强度高于1.0T时,结晶界面氧浓度会略有上升.     

分离结晶Bridgman法晶体生长过程的影响因素

本文采用全局数值模拟方法探讨了微重力条件下温度梯度对分离结晶Bridgman法晶体生长系统的作用规律。同时,在常重力条件下研究了坩埚半径对晶体生长系统的影响。结果发现,在微重力条件下随着温度梯度的增加,晶体生长系统内部的流动强度随之增加,且由于晶体生长系统低温区温度不断降低,使得结晶界面位置不断上升;在常重力条件下,重力的作用随着坩埚半径的增加而增强,导致晶体生长系统内部的流动强度增加,最大流函数增大。     

快控电源支路控制器程序的远程升级研究

在 EAST 等离子体垂直位移快速控制电源(快控电源)的数字信号处理(DSP)执行控制程序远程升级中， 通过改变“二次引导”的顺序结构，提出一种新的“二次引导”结构。该结构不需要汇编语言的参与，使用 C 语言编写“二次引导”程序，同时将该结构与无线网络传输技术相结合，实现了对程序的远程升级固化。实验结果 表明，所提出的结合无线网络的“二次引导”结构能够实现对控制电源 DSP 程序的远程加密升级。     

无因次参数对新型分离结晶法制备CdZnTe晶体的影响

本文借助有限差分法对新型分离结晶法生长CdZnTe晶体过程中熔体内部的热毛细对流进行了三维数值模拟，获得了Marangoni数、高径比及狭缝宽度等无因次参数对流动的影响。结果表明：当Marangoni数较小时，流动为稳态流动，传热以导热为主，当Marangoni数超过一定数值后，流动发展为非稳态热毛细对流，对流的影响加...     

轴向磁场作用下Czochralski浅液池内热对流特性研究

为了有效抑制熔体热对流并提高晶体的生长质量,采用三维数值模拟方法研究了轴向磁场对双向温差作用下Czochralski浅液池内Marangoni-热毛细对流的影响.在一个给定的底部热流密度条件下,探讨了轴向磁场对稳态流动和非稳态流动的影响,确定了不同磁场强度下流动由三维稳态流动向三维非稳态流动转变的临界Macri.结果表明:随着磁场强度的增大,临界Macri不断增大.轴向磁场对液池内稳态和非稳态Marangoni-热毛细对流均具有较好的抑制效果.对于稳态流动,磁场的引入会使自由表面温度波动幅值受到削弱,波数减少;对于非稳态流动,监测点P处的温度振荡随着磁场强度的增加不断逐渐减弱直至消失,流动由三维非稳态过渡为三维稳态,相应地,温度波动结构也会发生转变.     

用XAFS谱研究隧道颗粒物中元素的种态

用XAFS谱研究了上海某隧道内外3个不同位置的PM₁₀颗粒物样品中铁和铅元素的化学种态.运用IFEFFIT程序对实验数据进行处理分析, 结果显示: 隧道不同位置的颗粒物中铁主要以氧化亚铁、硝酸铁、氧化铁和四氧化三铁的种态存在, FeO, Fe(NO₃)₃的含量, 随着隧道的不断深入, 百分比含量不断增加, 而Fe₂O₃却不断减少; 对于铅元素,主要以二氧化铅、硫酸铅、磷酸铅和少量的氧化铅的种态形式存在, 二氧化铅和硫酸铅的含量, 随着隧道的不断深入, 百分比含量不断增加, 磷酸铅则不断减少.     

环形浅液池内热毛细对流的渐近解

为了了解微重力下水平温度梯度作用时环形浅液池内的热毛细对流特征,采用渐近线方法求得了环形浅液池内热毛细对流的近似解析解,得到了主流区速度场和温度场的表达式,并与数值模拟结果进行了比较,两者基本吻合.     

Cz结构浅池内硅熔体热对流的分岔特性

为了了解水平温度梯度作用时Czochralski结构浅池内硅熔体热对流的分岔特性,利用有限差分法进行了非稳态三维数值模拟,坩埚外壁被加热,液池深度为3 mm.模拟结果表明,当逐渐增加温差时,会发生两次流型转变,第一次由二维轴对称流动转变为三维稳态流动,第二次由三维稳态流动转变为热流体波,其可能沿顺时针方向旋转、也可能沿逆时针方向旋转,同时,第二次转变存在分岔现象.     

液封液桥内热毛细对流的数值模拟

建立了液封液桥(不相溶混的双层同轴液柱)内热毛细对流的物理数学模型，采用涡量-流 函数法、利用有限差分格式对微重力条件下液封液桥内热毛细对流进行了数值模拟，得到了 双层液柱主流区的温度场和流场，证实了液封技术能削弱液桥主流区的热毛细对流，从而提 高浮区晶体生长质量，找出了液封厚度以及内、外层流体物性参数比对液桥内热毛细对流的 影响规律.