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InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测等技术中.为了提高InSb材料的剪切强度，优化其力学性能，论文对InSb薄膜分别从不同厚度、温度、滑移系取向、孔洞密度等几个方面，对InSb薄膜的剪力响应及其原子构型演变进行分析，以研究其剪切强度和韧性的影响因素.发现厚度较大的薄膜具有更大的弹性模量和极限强度.而温度升高会导致材料的强度极限以及剪切韧性降低.同时还观察到10%孔洞密度下孔洞形状对材料的剪切性能有明显影响而20%孔洞密度下形状不再明显影响材料的剪切性能.此外在不同滑移系取向的研究中发现，滑移系取向对于材料的剪切强度和剪切韧性的影响是不同步的，例如(110)[1-10]滑移系下剪切强度降低而剪切韧性增强.上述结论对于提升InSb材料的剪切性能，合成出具有优异力学性能的InSb光电、磁敏材料具有指导意义. 相似文献
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